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1. (WO2002049965) PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE D'OXYDE DE TITANE ET D'UN CONDENSATEUR ELECTROLYTIQUE AU TITANE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/049965    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/010981
Date de publication : 27.06.2002 Date de dépôt international : 14.12.2001
CIB :
C23C 8/10 (2006.01), C23C 8/80 (2006.01), H01G 9/04 (2006.01)
Déposants : TOHO TITANIUM CO., LTD. [JP/JP]; 3-5, Chigasaki, 3-chome Chigasaki-shi, Kanagawa 253-8510 (JP) (Tous Sauf US).
ARAI, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ARAI, Yoshiyuki; (JP)
Mandataire : KURAUCHI, Motohiro; Yushi Kogyo Kaikan, 13-11, Nihonbashi 3-chome Chuo-ku, Tokyo 103-0027 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-385056 19.12.2000 JP
2000-385071 19.12.2000 JP
2000-385086 19.12.2000 JP
2000-385101 19.12.2000 JP
Titre (EN) METHOD OF FORMING TITANIUM OXIDE FILM AND TITANIUM ELECTROLYTIC CAPACITOR
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE D'OXYDE DE TITANE ET D'UN CONDENSATEUR ELECTROLYTIQUE AU TITANE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming an oxide film on a metal titanium substrate, comprising firing in vacuum or inactive gas atmosphere metal titanium substrate having an oxide film at least 50 nm in thickness on the surface thereof to reduce the oxide film thickness to less 50 nm, and then subjecting the film to oxidization to thereby re-form an oxide film on the metal titanium substrate surface; and a titanium electrolytic capacitor using as an anode a metal titanium substrate having the re-formed oxide film by using this method. Thereby, a small, large-capacity, small-leaking-current titanium electrolytic capacitor is provided through a method of forming a large-dielectric-constant, stable oxide film on a titanium surface.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une couche d'oxyde sur un substrat métallique au titane, consistant à cuire un substrat métallique au titane comprenant une couche d'oxyde d'une épaisseur supérieure ou égale à 50 nm sur sa surface dans une atmosphère sous vide ou dans une atmosphère renfermant un gaz inerte afin de réduire l'épaisseur de la couche d'oxyde à moins de 50 nm, puis à soumettre cette couche à une oxydation pour reformer une couche d'oxyde sur la surface du substrat métallique au titane. Ce procédé permet également de former un condensateur électrolytique au titane utilisant, comme anode, un substrat métallique au titane comprenant ladite couche d'oxyde reformée, obtenue selon le procédé de la présente invention. L'invention permet ainsi d'obtenir un condensateur électrolytique au titane, de grande capacité et à faible courant de fuite, selon un procédé consistant à former une couche d'oxyde stable à grande constante diélectrique sur une surface au titane. FIG. 1 1 ANODE SUBSTRAT AU TITANE 2 COUCHE D'OXYDE DE TITANE A CABLE AU TITANE 3 DIOXYDE DE MANGANESE 4 GRAPHITE 5 PEINTURE A BASE D'ARGENT B SOUDURE 6 BOITIER
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)