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1. (WO2002049395) LAMPE DE TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE, ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/049395    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/044708
Date de publication : 20.06.2002 Date de dépôt international : 12.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.07.2002    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H05B 3/00 (2006.01), H05B 6/02 (2006.01), H05B 6/10 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center, 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1007 (JP) (Tous Sauf US).
JOHNSON, Wayne, L. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JOHNSON, Wayne, L.; (US)
Mandataire : CASEY, Michael, R.; Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C., 1755 Jefferson Davis Highway, 4th Floor, Arlington, VA 22202 (US)
Données relatives à la priorité :
60/254,573 12.12.2000 US
Titre (EN) RAPID THERMAL PROCESSING LAMP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) LAMPE DE TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE, ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method and system for inductively coupling energy to a heating filament (7A', 7B', 7C', 7A, 7B, 7C) in a thermal processing environment. By applying AC power to a coil antenna (11) and inductive coupling to a filament (e.g., a halogen lamp filament), a number of connections that are subject to fatigue is reduced, thereby increasing the reliability of the heater (2A, 2B). Such an environment can be used to process semiconductor wafers (3) and liquid crystal displays.
(FR)L'invention concerne un procédé et un système pour le couplage inductif d'énergie sur un filament chauffant, dans un environnement de traitement thermique. L'application d'une alimentation en courant alternatif à une antenne spiralée et d'un couplage inductif à un filament (par exemple, filament de lampe halogène) permet de réduire un certain nombre de connexions sensibles à la fatigue, et donc d'augmenter la fiabilité de l'appareil chauffant. On peut utiliser ce type d'environnement dans le traitement des plaquettes à semi-conducteur et des afficheurs à cristaux liquides.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)