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1. (WO2002049339) PRISE D'IMAGE TRIDIMENSIONNELLE COMPATIBLE AVEC CMOS FAISANT APPEL A UNE MODULATION DU RENDEMENT QUANTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/049339    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/048219
Date de publication : 20.06.2002 Date de dépôt international : 11.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.07.2002    
CIB :
G01S 7/491 (2006.01), G01S 7/493 (2006.01), G01S 17/08 (2006.01), G01S 17/36 (2006.01), G01S 17/89 (2006.01)
Déposants : CANESTA, INC. [US/US]; 2833 Junction Avenue, Suite 200, San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : BAMJI, Cyrus; (US).
CHARBON, Edoardo; (US)
Mandataire : KAUFMAN, Michael, A.; Flehr Hohbach Test Albritton & Herbert LLP, 4 Embarcadero Center, Suite 3400, San Francisco, CA 94111-4187 (US)
Données relatives à la priorité :
60/254,873 11.12.2000 US
09/876,373 06.06.2001 US
Titre (EN) CMOS-COMPATIBLE THREE-DIMENSIONAL IMAGE SENSING USING QUANTUM EFFICIENCY MODULATION
(FR) PRISE D'IMAGE TRIDIMENSIONNELLE COMPATIBLE AVEC CMOS FAISANT APPEL A UNE MODULATION DU RENDEMENT QUANTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A preferably CMOS-implementable method and system measures distance and/or brightness by illuminating (22) a target (20) with emitted optical energy having a modulated periodic waveform whose high frequency component may be idealized as S1 = cos(a.t). A fraction of the emitted optical energy is reflected by a target and detected with at least one in a plurality of semiconductor photodetectors (240-N). Photodetector quantum efficiency is modulated (Fig. 8-10) to process detected signals to yield data proportional to the distance z separating the target and photodetector. Detection includes measuring phase change between the emitted optical energy and the reflected fraction thereof. Quantum efficiency can be modulated with fixed (Fig. 10) or variable (Fig. 9) phase methods and may be enhanced using enhanced photocharge collection, differential modulation, and spatial and temporal multiplexing. System power requirements may be reduced with inductors (Lp)that resonate with photodetector capacitance at the operating frequency. The system includes on-chip photodetectors, associated electronics, and processing.
(FR)La présente invention concerne un système et un procédé pouvant être mis en oeuvre de préférence sur CMOS, qui permettent de mesurer la distance et/ou la luminosité en illuminant une cible à l'aide d'une émission d'énergie optique possédant une forme d'onde périodique modulée dont la composante haute fréquence peut être idéalisée sous la forme S¿1? = cos(W.t). Une fraction de l'énergie optique émise est réfléchie par la cible et détectée par au moins un photodécteur parmi une pluralité de photodétecteurs à semiconducteur. On module le rendement quantique des photodétecteurs pour traiter les signaux détectés de façon à obtenir des données proportionnelles à la distance z séparant la cible du photodétecteur. La détection s'effectue par mesure du changement de phase entre l'énergie optique émise et la fraction qui en est réfléchie. On peut moduler le rendement quantique par des procédés à phase fixe ou variable, et on peut l'améliorer par une capture améliorée de la charge photonique, une modulation différentielle et un multiplexage spatial et temporel. On peut réduire les exigences en énergie du système à l'aide de bobines d'induction qui résonnent avec la capacité des photodécteurs à la fréquence de fonctionnement. Le système de l'invention comprend des photodétecteurs sur puce, des circuits électroniques associés et un moyen de traitement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)