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1. (WO2002049172) ELEMENT LASER A SEMI-CONDUCTEUR, MODULE LASER A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE PRODUCTION DUDIT MODULE ET DUDIT ELEMENT, ET AMPLIFICATEUR A FIBRE OPTIQUE ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/049172    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/011021
Date de publication : 20.06.2002 Date de dépôt international : 17.12.2001
CIB :
H01S 3/094 (2006.01), H01S 3/0941 (2006.01), H01S 5/00 (2006.01), H01S 5/022 (2006.01), H01S 5/12 (2006.01), H01S 5/14 (2006.01), H01S 5/40 (2006.01)
Déposants : THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8322 (JP)
Inventeurs : TSUKIJI, Naoki; (JP).
KIMURA, Toshio; (JP).
AIKIYO, Takeshi; (JP).
SHIMIZU, Takeo; (JP).
KANEMARU, Sadayoshi; (JP)
Mandataire : SAKAI, Hiroaki; Tokyo Club Building 2-6, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-381936 15.12.2000 JP
2001-382233 14.12.2001 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, SEMICONDUCTOR LASER MODULE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR AND OPTICAL FIBER AMPLIFIER
(FR) ELEMENT LASER A SEMI-CONDUCTEUR, MODULE LASER A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE PRODUCTION DUDIT MODULE ET DUDIT ELEMENT, ET AMPLIFICATEUR A FIBRE OPTIQUE ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser module comprising a semiconductor laser element (2) having a first stripe (9) and a second stripe (10) formed spaced apart from each other and respectively emitting a first laser beam (K1) and a second laser beam (K2) from the end faces of the first stripe (9) and the second stripe (10), a first lens (4) divergently separating the first laser beam (K1) from the second laser beam (K2) emitted from the semiconductor element (2), a half-wave plate (6) for rotating 90 degrees the polarization plane of the first laser beam (K1), a polarization synthesis member (7) for synthesizing incident first laser beam (K1) and second laser beam (K2) for outputting, and an optical fiber (8) for receiving a laser beam outputted from the polarization synthesis member (7) for outputting to the outside.
(FR)Module laser à semi-conducteur qui comporte un élément (2) laser à semi-conducteur ayant une première bande (9) et une seconde bande (10) espacées l'une de l'autre et émettant respectivement un premier faisceau laser (K1) et un second faisceau laser (K2) à partir des faces terminales de ladite première bande (9) et de ladite seconde bande (10), une première lentille (4) séparant de manière divergente le premier faisceau laser (K1) du second faisceau laser (K2) émis par l'élément (2) à semi-conducteur, une plaque demi-onde (6) destinée à transmettre une rotation de 90 degrés au plan de polarisation du premier faisceau laser (K1), un élément de synthèse (7) de polarisation destiné à synthétiser le premier faisceau laser incident (K1) et le second faisceau laser (K2) en vue de la sortie, et une fibre optique (8) destinée à recevoir un faisceau laser provenant de l'élément de synthèse (7) de polarisation pour la sortie vers l'extérieur.
États désignés : CA, CN.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)