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1. (WO2002049116) DIODES A SEMICONDUCTEURS A EFFET DE CHAMP A JONCTION EN STRUCTURE VERTICALE

Pub. No.:    WO/2002/049116    International Application No.:    PCT/US2001/051208
Publication Date: 20 juin 2002 International Filing Date: 18 oct. 2001
IPC: H01L 21/308
H01L 21/329
H01L 21/337
H01L 21/8234
H01L 27/02
Applicants: VRAM TECHNOLOGIES, LLC
METZLER, Richard, A.
Inventors: METZLER, Richard, A.
Title: DIODES A SEMICONDUCTEURS A EFFET DE CHAMP A JONCTION EN STRUCTURE VERTICALE
Abstract:
L'invention concerne des diodes à semiconducteurs, qui se présentent sous la forme de dispositifs à effet de champ cylindriques à structure verticale montés en diode, dans lesquels une borne de diode tient lieu de connexion commune entre une grille et un circuit drain-source des dispositifs. L'invention concerne également des procédés relatifs à la réalisation de ces dispositifs.