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1. (WO2002049110) BOBINE D'INDUCTION BLINDEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/049110    N° de la demande internationale :    PCT/SE2001/002768
Date de publication : 20.06.2002 Date de dépôt international : 13.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.06.2002    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01)
Déposants : TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL) [SE/SE]; S-125 26 Stockholm (SE) (Tous Sauf US).
JOHANSSON, Ted [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
NORSTRÖM, Hans [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
CARLSSON, Mats [SE/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : JOHANSSON, Ted; (SE).
NORSTRÖM, Hans; (SE).
CARLSSON, Mats; (SE)
Mandataire : BERGENSTRÅHLE & LINDVALL AB; Box 17704, S-118 93 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
0004614-4 13.12.2000 SE
Titre (EN) SHIELDED INDUCTOR
(FR) BOBINE D'INDUCTION BLINDEE
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit comprises an inductor path (17) formed in a metal layer located in a surface structure on top of an electrically well conducting substrate (7). Trenches (1) filled with an electrically isolating material are located under the inductor path and are arranged in a meshlike or grid pattern. In order to improve the shielding of the inductor path and to simultaneously improve the Q-value of the inductor, in the islands (5) of material formed in the surface structure between the meshes of the pattern deep substrate contacts (11) are located. The substrate contacts extend down into the substrate and the substrate and the contacts are intended to be connected to ground potential. Electrically conducting areas (13) can cover the islands and are then connected to the substrate contacts.
(FR)Un circuit intégré comporte un chemin d'induction (17) formé dans une couche métallique située dans une structure de surface disposée en partie supérieure d'un substrat (7) électriquement bon conducteur. Des tranchées (1) remplies d'une matière électriquement isolante sont situées sous le chemin d'induction et sont agencées suivant un motif de type réseau ou grille. Afin d'améliorer le blindage du chemin d'induction et d'améliorer simultanément la valeur du facteur qualité de la bobine d'induction, des contacts (11) de substrat profonds sont disposés dans des îlots (5) de matière formés dans la structure de surface située entre les réseaux du motif. Les contacts de substrat se prolongent à l'intérieur du substrat et l'ensemble de ces contacts et du substrat est conçu pour être relié au potentiel de la terre. Des régions électriquement conductrices (13) peuvent recouvrir les îlots et être ainsi reliées aux contacts du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)