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1. (WO2002049081) TRANSISTOR A JONCTION BIPOLAIRE DE PUISSANCE HF A STRUCTURE D'EMETTEUR AMELIORANT LE RENDEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/049081    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/050898
Date de publication : 20.06.2002 Date de dépôt international : 12.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.05.2002    
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01)
Déposants : ULTRARF, INC. [US/US]; 160 Gibraltar Court, Sunnyvale, CA 94089 (US) (Tous Sauf US).
BARTLOW, Howard, Dwight [US/US]; (US) (US Seulement).
KNORR, Chris, John [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BARTLOW, Howard, Dwight; (US).
KNORR, Chris, John; (US)
Mandataire : WOODWARD, Henry, K.; Townsend and Townsend and Crew LLP, Two Embarcadero Center, 8TH Floor, San Francisco, CA 94111-3834 (US)
Données relatives à la priorité :
09/736,888 13.12.2000 US
Titre (EN) RF POWER BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR HAVING PERFORMANCE-ENHANCING EMITTER STRUCTURE
(FR) TRANSISTOR A JONCTION BIPOLAIRE DE PUISSANCE HF A STRUCTURE D'EMETTEUR AMELIORANT LE RENDEMENT
Abrégé : front page image
(EN)Performance of an RF power bipolar transistor having a collector region, at least one base region (14), and a plurality of elongated emitter fingers (31-34) in each major region, is enhanced by forming each emitter finger with at least two spaced segments with a metal lead (16). By eliminating the middle portion of each emitter finger, current hogging at the central portion and hot spot generation are eliminated. Power output is maintained with reduced emitter lengths by minimizing the adverse affects of the hot spot generation in the emitters.
(FR)Le rendement d'un transistor bipolaire à puissance HF présentant une région de collecteur, au moins une région de base ainsi qu'une pluralité de doigts émetteurs oblongs dans chaque région principale, est amélioré par formation de chaque doigt émetteur avec au moins deux segments espacés et contact des deux segments espacés avec un conducteur métallique. Le fait d'éliminer la région médiane de chaque doigt émetteur permet d'éliminer l'appropriation de courant au niveau de la partie centrale et la production de points chauds. La sortie de puissance est maintenue avec des longueurs d'émetteur réduites par réduction au minimum des effets négatifs de la production de points chauds dans les émetteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)