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1. (WO2002049066) MICROSCOPE A FAISCEAU DE PARTICULES CHARGEES, DISPOSITIF D'APPLICATION DE CE FAISCEAU, PROCEDE D'UTILISATION DU MICROSCOPE EN QUESTION, PROCEDE D'INSPECTION VIA UN TEL FAISCEAU, ET MICROSCOPE ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/049066    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/010415
Date de publication : 20.06.2002 Date de dépôt international : 29.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.11.2001    
CIB :
H01J 37/141 (2006.01), H01J 37/28 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101-8010 (JP) (AT, BE, CH, CN, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, KR, LU, MC, NL, PT, SE, TR only).
NAKAMURA, Kuniyasu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANDA, Kimio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Mitsugu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ICHIHASHI, Mikio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHINADA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUNETA, Ruriko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAMURA, Kuniyasu; (JP).
KANDA, Kimio; (JP).
SATO, Mitsugu; (JP).
ICHIHASHI, Mikio; (JP).
SHINADA, Hiroyuki; (JP).
TSUNETA, Ruriko; (JP)
Mandataire : OGAWA, Katsuo; Nitto International Patent Office Yusenkayabacho Building 9-8, Nihonbashi-kayabacho 2-chome Chuo-ku, Tokyo 103-0025 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-377027 12.12.2000 JP
Titre (EN) CHARGED PARTICLE BEAM MICROSCOPE, CHARGED PARTICLE BEAM APPLICATION DEVICE, CHARGED PARTICLE BEAM MICROSCOPIC METHOD, CHARGED PARTICLE BEAM INSPECTING METHOD, AND ELECTRON MICROSCOPE
(FR) MICROSCOPE A FAISCEAU DE PARTICULES CHARGEES, DISPOSITIF D'APPLICATION DE CE FAISCEAU, PROCEDE D'UTILISATION DU MICROSCOPE EN QUESTION, PROCEDE D'INSPECTION VIA UN TEL FAISCEAU, ET MICROSCOPE ELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An electron microscope comprising a short-focus objective is used for capturing a favorable image with high resolution and free of distortion in a wide magnification range from low to high magnification during observation under low acceleration voltage condition. The distortion caused by the objective is canceled by the opposite distortion caused by a correction magnetic field lens for electron beam deflection, thereby forming a scanning electron microscope image with high resolution and no distortion in a wide magnification range from low magnification to high magnification.
(FR)L'invention concerne un microscope électronique à objectif de courte longueur focale, qui permet d'acquérir une image favorable, à résolution élevée et sans distorsion, dans une large gamme d'amplification (faible à élevée), en phase d'observation réalisée sous des conditions de tension d'accélération faible. La distorsion engendrée par l'objectif est annulée par la distorsion opposée provenant d'un objectif à champ magnétique de correction pour la déviation de faisceau électronique, ce qui permet de former une image de microscope électronique de balayage, à résolution élevée et sans distorsion, dans large gamme d'amplification (faible à élevée).
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)