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1. (WO2002049035) DISPOSITIF A MEMOIRE ET PROCEDE PERMETTANT DE LE FAIRE FONCTIONNER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/049035    N° de la demande internationale :    PCT/DE2001/004524
Date de publication : 20.06.2002 Date de dépôt international : 03.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.06.2002    
CIB :
G11C 11/22 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
HOENIGSCHMID, Heinz [DE/US]; (US) (US Seulement).
MUELLER, Gerhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HOENIGSCHMID, Heinz; (US).
MUELLER, Gerhard; (DE)
Mandataire : KOTTMANN, Dieter; Müller Hoffmann & Partner, Innere Wiener Strasse 17, 81667 München (DE)
Données relatives à la priorité :
100 61 580.5 11.12.2000 DE
Titre (DE) SPEICHEREINRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN BETRIEB
(EN) MEMORY DEVICE AND METHOD FOR THE OPERATION OF THE SAME
(FR) DISPOSITIF A MEMOIRE ET PROCEDE PERMETTANT DE LE FAIRE FONCTIONNER
Abrégé : front page image
(DE)Zur Gewährleistung einer hohen Flexibilität und eines kompakten Aufbaus wird bei einer Speichereinrichtung (1), welche auf der Grundlage eines Hystereseprozesses arbeitet, vorgeschlagen, eine vorhandene Plateleitungseinrichtung (50) zum Erfassen des Zustandes eines Speicherkondensators (10) und somit der gespeicherten Information auszubilden.
(EN)The aim of the invention is to guarantee a high degree of flexibility and a compact construction. To this end, the existing plate conduction device (50) of a memory device (1) which functions on the basis of a hysteresis process is configured to detect the state of a memory capacitor (10) and hence, the information that is stored.
(FR)L'invention concerne un dispositif à mémoire (1) fonctionnant par hystérésis et vise à obtenir, pour un tel dispositif, une grande souplesse et une construction compacte. A cet effet, l'invention consiste à prévoir un dispositif conducteur de plaques déjà existant (50) pour la détection de l'état d'un condensateur mémoire (10) et, par conséquent, de l'information mémorisée.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)