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1. (WO2002049016) SUPPORT D'INFORMATIONS OPTIQUE ET SON UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/049016    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/014151
Date de publication : 20.06.2002 Date de dépôt international : 27.11.2001
CIB :
G11B 7/254 (2006.01), G11B 7/257 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : RIJPERS, Johannes, C., N.; (NL).
ZHOU, Guo-Fu; (NL)
Mandataire : DEGUELLE, Wilhelmus, H., G.; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
00204602.7 15.12.2000 EP
Titre (EN) OPTICAL INFORMATION MEDIUM AND ITS USE
(FR) SUPPORT D'INFORMATIONS OPTIQUE ET SON UTILISATION
Abrégé : front page image
(EN)An optical information medium (20) for erasable recording by means of a laser-light beam (10) is provided. A substrate (1) holds a stack (2) of layers with a phase-change recording layer (5) between a first dielectric layer (4) and a second dielectric layer (6). A light-absorptive layer (7) is present proximate the recording layer (5) and is made of a compound of the formula QRx, in which Q is the element Si, Ge, Ti, Zr, Hf, Nb or Ta, R is the element O or N, and 0 < x = 2.5, in order to achieve that 0.8 < Ac/Aa < 1.50, in which Ac and Aa are the respective quantities of laser-light absorbed in the recording layer (5) in the crystalline state and the amorphous state at a laser-light wavelength selected from a range of 350-450 nm. Thus high data rates and low data jitters are achieved at this short wavelength range by tuning x to an optimal value during manufacture of the optical information medium.
(FR)La présente invention concerne un support d'informations optique (20) destiné à l'enregistrement effaçable au moyen d'un faisceau de lumière laser (10). Un substrat (1) comprend un empilement (2) de couches avec une couche d'enregistrement à changement de phase (5) située entre une première couche diélectrique (4) et une seconde couche diélectrique (6). Une couche d'absorption de lumière (7) se trouve à proximité de la couche d'enregistrement (5) et est constituée d'un composé de formule QRx dans laquelle Q est l'élément Si, Ge, Ti, Zr, Hf, Nb ou Ta, R est l'élément O ou N, et 0<x$m(F)2,5, afin d'obtenir 0,8<A¿c?/A¿a?<1,50, A¿c? et A¿a? correspondant aux quantités respectives de lumière laser absorbée dans la couche d'absorption (5) à l'état cristallin et à l'état amorphe à une longueur d'onde de lumière laser valant 350-450 nm. Ainsi, on peut obtenir des débits binaires élevés et des instabilités de données faibles pour cette gamme de longueurs d'ondes courtes, en ajustant x pour qu'il prenne une valeur optimale durant la réalisation du support d'informations optique.
États désignés : BR, CA, CN, HU, JP, KR, MX, SG, ZA.
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)