WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002048683) PROCEDE ET DISPOSITIF FAISANT APPEL A LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE POUR LA DETECTION D'UN DEFAUT DANS LES CONDITIONS DE TRAITEMENT D'UN SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/048683    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/043658
Date de publication : 20.06.2002 Date de dépôt international : 15.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.06.2002    
CIB :
G01N 21/73 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : OLUSEYI, Hakeem; (US).
SARFATY, Moshe; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/721,403 21.11.2000 US
Titre (EN) A METHOD AND APPARATUS EMPLOYING OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY TO DETECT A FAULT IN PROCESS CONDITIONS OF A SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF FAISANT APPEL A LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE POUR LA DETECTION D'UN DEFAUT DANS LES CONDITIONS DE TRAITEMENT D'UN SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method and an apparatus system feature detecting faults in process conditions of a plasma-based semiconductor processing system by sensing the spectral emissions of the plasma. As a result, the method includes sensing optical energy produced by the plasma and identifying the fault in the process conditions as a function of one or more of the plurality of spectral bands. To that end, the apparatus includes a detector in optical communication with the processing chamber to sense optical energy generated by the plasma, and a spectrum analyzer, in electrical communication with the optical detector. The spectrum analyzer resolves the spectral bands and produces information corresponding thereto. A processor is in electrical communication with the spectrum analyzer, and a memory is in electrical communication with the processor. The memory includes a computer-readable medium having a computer-readable program embodied therein that controls the system to carry-out the method.
(FR)L'invention concerne un procédé et un système permettant de détecter les défauts des conditions de traitement dans un système de traitement au plasma des semi-conducteurs par la détection des émissions spectrales du plasma. Ce procédé consiste à détecter l'énergie optique générée par le plasma et à identifier les défauts des conditions de traitement qui se présentent comme une fonction d'une ou de plusieurs bandes d'une pluralité de bandes spectrales. A cette fin, le dispositif comprend un détecteur relié optiquement avec l'enceinte de traitement et détecte l'énergie optique générée par le plasma, et un analyseur de spectre qui communique par voie électrique avec le détecteur optique. L'analyseur de spectre sépare les bandes spectrales et génère une information correspondant à celles-ci. Un processeur communique par voie électrique avec l'analyseur de spectre et une mémoire communique par voie électrique avec le processeur. La mémoire comprend un support lisible par ordinateur dans lequel est incorporé un programme lisible par ordinateur qui commande la mise en oeuvre de ce procédé par le système.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)