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1. (WO2002048429) FABRICATION DE GUIDES D'ONDES EN SILICE A ABSORPTION MINIMALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/048429 N° de la demande internationale : PCT/CA2001/001753
Date de publication : 20.06.2002 Date de dépôt international : 06.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 27.05.2002
CIB :
C23C 16/40 (2006.01) ,C23C 16/56 (2006.01) ,G02B 6/12 (2006.01) ,G02B 6/132 (2006.01)
Déposants : DALSA SEMICONDUCTOR INC.[CA/CA]; 605 McMurray Road Waterloo, Ontario N2V 2E9, CA
Inventeurs : OUELLET, Luc; CA
GRONDIN, Manuel; CA
Mandataire : MITCHELL, Richard, J.; Marks & Clerk Suite 1800 280 Slater Street Ottawa, Ontario K1P 5S7, CA
Données relatives à la priorité :
0030236.412.12.2000GB
Titre (EN) MANUFACTURE OF SILICA WAVEGUIDES WITH MINIMAL ABSORPTION
(FR) FABRICATION DE GUIDES D'ONDES EN SILICE A ABSORPTION MINIMALE
Abrégé : front page image
(EN) An improved high temperature chemical treatment of deposited silica films wherein they are subjected to a reactive ambient comprising hydrogen and oxygen atoms. This method results in better elimination of residual undesirable oscillators so as to provide improved optical quality silica waveguides with reduced optical absorption.
(FR) L'invention concerne un traitement chimique haute température amélioré de films de silice déposés. Ce traitement consiste à soumettre ces films à une atmosphère réactive contenant des atomes d'hydrogène et d'oxygène. Ce procédé permet une meilleure élimination d'oscillateurs résiduels indésirables, de manière à obtenir des guides d'ondes en silice de qualité optique accrue et à absorption optique réduite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)