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1. (WO2002047865) SYSTEME CIBLE A AJUSTEMENT SERRE POUR PULVERISATION CATHODIQUE A GRANDE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/047865    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/048480
Date de publication : 20.06.2002 Date de dépôt international : 13.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.05.2002    
CIB :
B23K 9/00 (2006.01), B23K 9/025 (2006.01), B23K 15/00 (2006.01), B23K 15/04 (2006.01), B23K 15/06 (2006.01), B23K 20/12 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : TOSOH SMD, INC. [US/US]; 3600 Gantz Road, Grove City, OH 43123 (US) (Tous Sauf US).
IVANOV, Eugene, Y. [US/US]; (US) (US Seulement).
CONARD, Harry, W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : IVANOV, Eugene, Y.; (US).
CONARD, Harry, W.; (US)
Mandataire : PEACOCK, Bruce, E.; Biebel & French, 35 East First Street, Dayton, OH 45402 (US)
Données relatives à la priorité :
60/256,110 15.12.2000 US
Titre (EN) FRICTION FIT TARGET ASSEMBLY FOR HIGH POWER SPUTTERING OPERATION
(FR) SYSTEME CIBLE A AJUSTEMENT SERRE POUR PULVERISATION CATHODIQUE A GRANDE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)The present application pertains to unconventional sputter target/backing plate assemblies (10) for high power operation and to the low temperature method of making them. The sputter target/backing plate assemblies (10) comprise targets (12) and backing plates (16) having dissimilar thermal coefficients of expansion. Although the consolidated targets (12) and backing plates (16) have dissimilar thermal coefficients of expansion, they are able to be bonded together and used at high sputtering temperatures without bowing or bending and are able to utilize backing plates (16) normally associated with a specified target metal. In the method of making, a plurality of male projections (16) are formed in one member of the assembly (10) with a plurality of corresponding female grooves (32) formed in the other surface. The assembly (10) is bonded by conventional techniques around an annular zone that surrounds the male (26) and female portions (32). The assembly (10) is then pressure consolidated at low temperature so that the projections are force fit into the female recesses.
(FR)L'invention concerne des systèmes de plaques cibles/d'appui pour pulvérisation cathodique non classiques (10) pour des modes de fonctionnement à grande puissance, ainsi que le procédé basse température permettant de les produire. Lesdits systèmes de plaque cible/d'appui (10) comprennent des plaques cibles (12) et des plaques d'appui (16) à coefficients thermiques d'expansion dissemblables. Bien que les plaques cibles (12) et les plaques d'appui (16) aient des coefficients thermiques d'expansion dissemblables, elles peuvent se lier mutuellement et s'utiliser à des températures de pulvérisation cathodique élevées sans se cintrer ou fléchir et peuvent utiliser des plaques d'appui (16) habituellement associées à un métal cible spécifié. Dans un procédé de réalisation, une pluralité de parties saillantes mâles (16) sont formées sans un élément du système (10) avec une pluralité de rainures femelles (32) correspondantes formées dans l'autre surface. Le système (10) est lié par des techniques classiques autour d'une zone annulaire entourant les parties mâles (26) et femelles (32). Le système (10) est ensuite consolidé par pression à basse température de sorte que les parties saillantes entrent de manière forcée dans les évidements femelles et s'y adaptent.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)