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1. (WO2002047171) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR H.T. A SUPERJONCTION ET A CONDUCTION VERTICALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/047171    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/047275
Date de publication : 13.06.2002 Date de dépôt international : 03.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.06.2002    
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION [US/US]; 233 Kansas Street, El Segundo, CA 90245 (US)
Inventeurs : KINZER, Daniel, M.; (US).
SRIDEVAN, Srikant; (US)
Mandataire : WEINER, Samuel, H.; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen, LLP, 1180 Avenue of the Americas, New York, NY 10036 (US)
Données relatives à la priorité :
09/732,401 07.12.2000 US
Titre (EN) HIGH VOLTAGE VERTICAL CONDUCTION SUPERJUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR H.T. A SUPERJONCTION ET A CONDUCTION VERTICALE
Abrégé : front page image
(EN)A high voltage vertical conduction semiconductor device has a plurality of deep trenches or holes (3) in a lightly doped body (2) of one conductivity type. A diffusion (4) of the other conductivity type is formed in the trench walls to a depth and a concentration which matches that of the body so that, under reverse blocking, both regions fully deplete. The elongated trench or hole (3) is filled with a dielectric which may be a composite of nitride and oxide layers having a lateral dimension change matched to that of the silicon. The filler may also be a highly resistive SIPOS (20) which permits leakage current flow from source to drain to ensure a uniform electric field distribution along the length of the trench during blocking.
(FR)L'invention porte sur un dispositif semi-conducteur H.T. à conduction verticale présentant une série de tranchées ou puits (3) profonds usinés dans le corps légèrement dopé (2) du type mono-conductivité. On réalise une diffusion (4) ou d'autres types de conductivité dans la paroi de la tranchée à une profondeur et à une concentration qui correspondent à celles du corps, si bien qu'en cas de blocage inverse les deux régions sont entièrement appauvries. On remplit la tranchée ou le puits (3) d'un diélectrique pouvant être un composite de couches de nitrures et d'oxydes dont les variations de dimensions latérales correspondent à celles du silicium. Ladite charge peut être un SIPOS (20) fortement résistant permettant au courant de fuite de passer de la source au drain pour assurer une distribution uniforme du champ électrique le long des tranchées lors du blocage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)