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1. (WO2002047162) BOITIER MICRO-ELECTRONIQUE COMPRENANT UN DRAIN THERMIQUE INTEGRE ET DES COUCHES ACCUMULEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/047162    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/049898
Date de publication : 13.06.2002 Date de dépôt international : 09.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.07.2002    
CIB :
H01L 23/16 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 23/433 (2006.01), H01L 23/538 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
HENAO, Maria, V. [US/US]; (US) (US Seulement).
MU, Xiao-Chun [US/US]; (US) (US Seulement).
MA, Qing [US/US]; (US) (US Seulement).
VU, Quat, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
TOWLE, Steven, N. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HENAO, Maria, V.; (US).
MU, Xiao-Chun; (US).
MA, Qing; (US).
VU, Quat, T.; (US).
TOWLE, Steven, N.; (US)
Mandataire : STEFFEY, Charles E.; Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth, P.O. Box 2938, Minneapolis, Minnesota 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
09/733,289 08.12.2000 US
Titre (EN) MICROELECTRONIC PACKAGE HAVING AN INTEGRATED HEAT SINK AND BUILD-UP LAYERS
(FR) BOITIER MICRO-ELECTRONIQUE COMPRENANT UN DRAIN THERMIQUE INTEGRE ET DES COUCHES ACCUMULEES
Abrégé : front page image
(EN)A microelectronic package fabrication technology that attaches at least one microelectronic die onto a heat spreader and encepsulates the microelectronic die/dice thereon which may further include a microelectronic packaging core abutting the heat spreader wherein the microelectronic die/dice reside within at least one opening in a microelectronic package core. After encapsulation, build-up layers may be fabricated to form electrical connections with the microelectronic die/dice.
(FR)L'invention concerne une technique de fabrication d'un boîtier micro-électronique qui consiste à fixer au moins un dé micro-électronique sur un dissipateur thermique et à encapsuler ce dé micro-électronique, lequel peut comporter un substrat d'encapsulation micro-électronique adjacent au dissipateur thermique. Le dé micro-électronique est disposé dans au moins une ouverture ménagée dans un substrat d'encapsulation micro-électronique. Après encapsulation, des couches accumulées peuvent être fabriquées de manière à former des connexions électriques avec le dé micro-électronique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)