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1. (WO2002047142) PROCEDE ET APPAREIL DE TRAITEMENT D'UN ARTICLE A TRAITER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/047142    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/010594
Date de publication : 13.06.2002 Date de dépôt international : 04.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.03.2002    
CIB :
C30B 33/00 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
HISHIYA, Shingo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FURUSAWA, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASHI, Teruyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAITO, Misako [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UMEZAWA, Kota [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Syoichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HISHIYA, Shingo; (JP).
FURUSAWA, Yoshikazu; (JP).
HAYASHI, Teruyuki; (JP).
SAITO, Misako; (JP).
UMEZAWA, Kota; (JP).
SATO, Syoichi; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-370023 05.12.2000 JP
2001-26233 02.02.2001 JP
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR TREATING ARTICLE TO BE TREATED
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE TRAITEMENT D'UN ARTICLE A TRAITER
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus (1) for treating a wafer, which has a heater (12), a reaction tube (2) for storing a wafer (10) having an organic material adhered thereto and, a first gas conduit (13) and a second gas conduit (14) for feeding an oxygen gas and a hydrogen gas, respectively, into the reaction tube (2); and a method for treating a wafer to be treated, which comprises feeding an oxygen gas and a hydrogen gas through the first gas conduit (13) and the second gas conduit (14), respectively, into the reaction tube (2), and heating the reaction tube (2) by the heater (12) to a temperature sufficient for activating the oxygen gas and hydrogen gas, to thereby allow a combustion reaction to take place and oxidize, decompose and remove the organic material adhered to the wafer (10).
(FR)Appareil (1) permettant de traiter une tranche, qui possède un dispositif de chauffe (12), un tube de réaction (2) destiné à recevoir une tranche (10) sur laquelle adhère une matière organique, une première conduite de gaz (13) et une seconde conduite de gaz (14) destinées à introduire respectivement de l'oxygène et de l'hydrogène dans le tube de réaction (2). La présente invention concerne également un procédé de traitement d'une tranche à traiter, qui consiste à introduire de l'oxygène et de l'hydrogène respectivement par les première (13) et seconde (14) conduites de gaz dans le tube de réaction (2), puis à chauffer le tube de réaction (2) à l'aide du dispositif de chauffe (12) jusqu'à une température suffisante pour activer l'oxygène et l'hydrogène, ce qui permet la production d'une réaction de combustion, et donc l'oxydation, la décomposition et l'élimination de la matière organique adhérant à la tranche (10).
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)