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1. (WO2002047138) PROCEDE DE DOPAGE D'UNE COUCHE A SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE DE PRODUCTION D'UN ELEMENT A SEMI-CONDUCTEUR EN COUCHE MINCE ET ELEMENT A SEMI-CONDUCTEUR EN COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/047138    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/010726
Date de publication : 13.06.2002 Date de dépôt international : 07.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.06.2002    
CIB :
H01L 21/223 (2006.01), H01L 21/225 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (Tous Sauf US).
MACHIDA, Akio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
USUI, Setsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GOSAIN, Dharam Pal [IN/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MACHIDA, Akio; (JP).
USUI, Setsuo; (JP).
GOSAIN, Dharam Pal; (JP)
Mandataire : FUJISHIMA, Youichiro; 2F, Oodai Building, 9-5, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-373052 07.12.2000 JP
Titre (EN) METHOD FOR DOPING SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCING THIN FILM SEMICONDUCTOR ELEMENT AND THIN FILM SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCEDE DE DOPAGE D'UNE COUCHE A SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE DE PRODUCTION D'UN ELEMENT A SEMI-CONDUCTEUR EN COUCHE MINCE ET ELEMENT A SEMI-CONDUCTEUR EN COUCHE MINCE
Abrégé : front page image
(EN)A method for doping a semiconductor, characterized in that it comprises forming a semiconductor layer on a substrate, allowing the surface of the substrate to adsorb a dopant ion in a controlled amount, and activating the adsorbed dopant ion in the semiconductor layer, wherein the amount of the dopant to be adsorbed is controlled by using a means such as the introduction of hydrogen during the irradiation of a plasma, and the adsorbed dopant ion is activated, for example, by using an excimer laser. The method permits the formation of a region having an impurity diffused in a low concentration with good contollability even when a substrate exhibiting low thermal resistance is used.
(FR)L'invention concerne un procédé de dopage d'un semi-conducteur caractérisé en ce qu'il consiste à former une couche de semi-conducteur sur un substrat, à laisser la surface du substrat adsorber un ion dopant dans une mesure régulée, et à activer l'ion dopant absorbé dans la couche de semi-conducteur, la quantité du dopant à adsorber étant régulée à l'aide d'un moyen tel que l'introduction d'hydrogène pendant l'irradiation d'un plasma, et l'ion dopant absorbé est activé, par exemple, à l'aide d'un laser à excimères. Le procédé permet la formation d'une région présentant une impureté diffusée en une faible concentration avec une bonne capacité de régulation même lorsque l'on utilise un substrat présentant une faible résistance thermique.
États désignés : CN, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)