WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002047127) DISPOSITIF PYROELECTRIQUE PLACE SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/047127    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/044776
Date de publication : 13.06.2002 Date de dépôt international : 29.11.2001
CIB :
C30B 23/02 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 27/16 (2006.01), H01L 37/02 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : OOMS, William, J.; (US).
FINDER, Jeffrey, M.; (US).
EISENBEISER, Kurt, W.; (US).
HALLMARK, Jerald, A.; (US)
Mandataire : KOCH, William, E.; Portfolio Manager - Motorola Labs 3102 North 56th Street AZ11/56-238 PHOENIX, AZ 85018-6606 (US)
Données relatives à la priorité :
09/733,181 08.12.2000 US
Titre (EN) PYROELECTRIC DEVICE ON A MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF PYROELECTRIQUE PLACE SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR MONOCRISTALLIN
Abrégé : front page image
(EN)High quality epitaxial layers of monocrystalline materials can be grown overlying large silicon wafers by first growing an accommodating buffer layer (104) on a silicon wafer (102). The accommodating buffer layer (104) is a layer of monocrystalline material spaced apart from the silicon wafer (102) by an amorphous interface layer (108) of silicon oxide. The amorphous interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline accommodating buffer layer. Any lattice mismatch between the accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous interface layer. Utilizing this technique permits the fabrication of thin film pyroelectric devices (150) on a monocrystalline silicon substrate.
(FR)On peut faire croître des couches épitaxial de matériaux monocristallins de haute qualité recouvrant de grandes tranches de silicium en y faisant tout d'abord croître une couche réceptrice (104) disposée sue la tranche (102) de silicium. La couche tampon réceptrice (104) est faite d'un matériau monocristallin séparé de la tranche (102) de silicium par une couche interface (108). La couche interface amorphe dissipe les contraintes et permet de faire croître une couche tampon réceptrice monocristalline de haute qualité. Toute disparité entre la couche tampon réceptrice et le substrat sous-jacent de silicium est corrigée par la couche interface amorphe. Le recours à cette technique permet la fabrication de dispositifs pyroélectriques (150) sur un substrat de silicium monocristallin.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)