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1. (WO2002047109) ÉLECTRODES D'ARC POUR LA SYNTHÈSE DE NANOSTRUCTURES DE CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/047109    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/010712
Date de publication : 13.06.2002 Date de dépôt international : 07.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.06.2002    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (Tous Sauf US).
HUANG, Houjin [CN/JP]; (JP) (US Seulement).
KAJIURA, Hisashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAKOSHI, Mitsuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMADA, Atsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIRAISHI, Masashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HUANG, Houjin; (JP).
KAJIURA, Hisashi; (JP).
MIYAKOSHI, Mitsuaki; (JP).
YAMADA, Atsuo; (JP).
SHIRAISHI, Masashi; (JP)
Mandataire : SUGIURA, Masatomo; 7th Floor, Ikebukuro Park Bldg., 49-7, Minami Ikebukuro 2-chome, Toshima-ku, Tokyo 171-0022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-375044 08.12.2000 JP
Titre (EN) ARC ELECTRODES FOR SYNTHESIS OF CARBON NANOSTRUCTURES
(FR) ÉLECTRODES D'ARC POUR LA SYNTHÈSE DE NANOSTRUCTURES DE CARBONE
Abrégé : front page image
(EN)An arc electrode structure, for producing carbon nanostructures, which includes a first electrode and two or more second electrodes disposed within a chamber. The electrodes are connected to a voltage potential to produce an arc-plasma region. The first electrode has a sloped surface with a plurality of holes therein for holding catalyst. The first electrode's sloped surface, and the positioning of the plurality of second electrodes allows control of the direction and region of arc-plasma. Further, the first electrode has a central bore which may be either a blind bore, or a through bore. The blind bore collects unwanted deposits that slide off of the sloped surface of the first electrode. The throughbore either allows soot and carbon nanostructures to be removed from the chamber, or allows organic vapor to be introduced into the chamber. When the throughbore is used to introduce organic vapor into the chamber, the vapor is directed through the arc-plasma region so that carbon nanostructures are built up by a CVD process rather than being broken off of carbon electrodes.
(FR)La présente invention concerne une structure d'électrodes d'arc de production de nanostructure de carbone, se composant d'une première électrode et de plusieurs secondes électrodes réparties dans une chambre. Les électrodes sont connectées à un potentiel permettant de produire une région de plasma d'arc. La première électrode présente une face en pente pourvue d'une pluralité de trous rentrant permettant de retenir un catalyseur. La face en pente de la première électrode, et le positionnement de la pluralité des secondes électrodes permet de commander le sens et la région de formation du plasma d'arc. En outre, la première électrode présente un alésage central qui peut être soit aveugle, soit traversant. L'alésage aveugle permet de recueillir les dépôts gênants qui glissent de la face en pente de la première électrode. Les alésages traversants, qui permettent de retirer de la chambre la suie et les nanostructures de carbone, permettent notamment l'introduction d'une vapeur organique dans la chambre. Lorsqu'on utilise l'alésage traversant pour l'introduction de vapeur organique dans la chambre, la vapeur est envoyée à traverser la région de formation du plasma d'arc de façon que les nanostructures de carbone se forment par dépôt chimique en phase vapeur, plutôt que par séparation des électrodes de carbone.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)