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1. (WO2002047093) CIRCUIT DE DEMAGNETISATION COMPRENANT UNE THERMISTANCE DE DEMAGNETISATION A COEFFICIENT DE TEMPERATURE POSITIF POURVU D'UNE CERAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE, ET PROCEDE DE FABRICATION DE CERAMIQUES SEMI-CONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/047093    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/010584
Date de publication : 13.06.2002 Date de dépôt international : 04.12.2001
CIB :
C04B 35/468 (2006.01), H01C 7/02 (2006.01), H01C 17/26 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 26-10, Tenjin 2-chome Nagaokakyo-shi, Kyoto 617-8555 (JP) (CN, GB, KR only).
NABIKA, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKADA, Mitsugu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Hiroki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KITAMURA, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NABIKA, Yasuhiro; (JP).
TAKADA, Mitsugu; (JP).
TANAKA, Hiroki; (JP).
KITAMURA, Yoshinori; (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-370477 05.12.2000 JP
Titre (EN) POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT THERMISTOR
(FR) CIRCUIT DE DEMAGNETISATION COMPRENANT UNE THERMISTANCE DE DEMAGNETISATION A COEFFICIENT DE TEMPERATURE POSITIF POURVU D'UNE CERAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE, ET PROCEDE DE FABRICATION DE CERAMIQUES SEMI-CONDUCTRICES
Abrégé : front page image
(EN)In a semiconductive ceramic which has a positive resistance temperature characteristic and is used as a degaussing thermistor element, the current attenuation characteristic is slowly changed without increasing the size of the element by setting a resistance temperature coefficient in the range of from about 10 to 17.
(FR)Dans une céramique semi-conductrice caractérisée par une résistance thermique positive et utilisée comme un élément de thermistance de démagnétisation, on modifie lentement la caractéristique d'atténuation de courant sans augmenter la taille dudit élément en fixant le coefficient thermique de résistance entre environ 10 et 17.
États désignés : CN, GB, KR, US.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)