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1. (WO2002046859) SYSTEME DE COMMUNICATIONS A CHAMP ELECTRIQUE CAPACITIVEMENT COUPLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/046859    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/042936
Date de publication : 13.06.2002 Date de dépôt international : 13.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.06.2002    
CIB :
H04B 13/00 (2006.01)
Déposants : SYBERSAY COMMUNICATIONS CORPORATION [US/US]; 625 River Oaks Parkway, San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : MACY, Robert A.; (US)
Mandataire : KREBS, Robert E.; Burns, Doane, Swecker & Mathis, LLP, P.O. Box 1404, Alexandria, VA 22313 (US)
Données relatives à la priorité :
09/709,981 10.11.2000 US
Titre (EN) CAPACITIVELY COUPLED E-FIELD COMMUNICATIONS SYSTEM
(FR) SYSTEME DE COMMUNICATIONS A CHAMP ELECTRIQUE CAPACITIVEMENT COUPLE
Abrégé : front page image
(EN)A low-power, short-range communications system (Figure 1) is disclosed. The communications system comprises a transmitter that is operative to generate a high impedance signal and a receiver that is operative to detect the high impedance signal. In this respect, the transmitter and the receiver (Figure 1, elements 12 and 14) are capacitively coupled by the high impedance electric field generated in response to the high impedance signal. Accordingly, information from the transmitter to the receiver is sent via the high impedance electric field. In accordance with the present invention, the transmitter is configured to generate the high impedance signal with a frequency in the range from about 20 KHz to 10 MHz. Similarly, the voltage of the high impedance signal is from about 1 Vrms to 300 Vrms.
(FR)L'invention concerne un système de communications à faible puissance à courte portée. Ledit système de communications comprend un émetteur fonctionnant de façon à générer un signal à impédance élevée, et un récepteur fonctionnant de façon à détecter ledit signal à impédance élevée. Pour ce faire, l'émetteur et le récepteur sont capacitivement couplés à l'aide d'un champ électrique à impédance élevée généré en réponse au signal à impédance élevée. En conséquence, des informations sont envoyées de l'émetteur vers le récepteur via le champ électrique à impédance élevée . Selon l'invention, l'émetteur est configuré de façon à générer le signal à impédance élevée avec une fréquence située dans la plage comprise environ entre 20 KHz et 10 MHZ. De la même façon, la tension du signal à impédance élevée est comprise entre environ 1 Vrms et 300 Vrms.
États désignés : BR, CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)