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1. (WO2002046692) PROCEDE ET SYSTEME POUR EFFECTUER DES MESURES DANS DES STRUCTURES A MOTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/046692    N° de la demande internationale :    PCT/IL2001/001136
Date de publication : 13.06.2002 Date de dépôt international : 07.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.07.2002    
CIB :
G01B 15/00 (2006.01), G01N 21/47 (2006.01), G01N 21/956 (2006.01), G01N 23/225 (2006.01), H01J 37/28 (2006.01)
Déposants : NOVA MEASURING INSTRUMENTS LTD. [IL/IL]; Weizmann Science Park, 76100 Rehovoth (IL) (Tous Sauf US).
BRILL, Boaz [IL/IL]; (IL).
FINAROV, Moshe [IL/IL]; (IL)
Inventeurs : BRILL, Boaz; (IL).
FINAROV, Moshe; (IL)
Mandataire : KORSHUNOV, Oleg; Weizmann Science Park, P.O. Box 266, 76100 Rehovoth (IL)
Données relatives à la priorité :
140179 07.12.2000 IL
Titre (EN) A METHOD AD SYSTEM FOR MEASURING IN PATTERNED STRUCTURES
(FR) PROCEDE ET SYSTEME POUR EFFECTUER DES MESURES DANS DES STRUCTURES A MOTIF
Abrégé : front page image
(EN)It is proposed to apply a method of measuring parameters of a patterned structure, the method comprising the steps of: (i) applying scatterometry measurements (12) to the structure and generating measured data indicative of the structure parameters; (ii) applying scanning electron microscopy (SEM) measurements (14) to the structure and generating measured data indicative of lateral pattern dimensions of the structure; (iii) analyzing the entire measured data to use measurement results of either one of the scatterometry and SEM measurements for optimizing the other measurement results. The method and a corresponding measurement system can be used for measuring patterned structures such as semioconductor wafers.
(FR)L'invention propose d'appliquer un procédé de mesure des paramètres d'une structure à motif. Ce procédé comprend les étapes consistant : (i) à effectuer des mesures de diffusiométrie (12) sur la structure et à créer des données de mesure indicatives des paramètres de structure ; (ii) à effectuer des mesures par microscopie électronique à balayage (MEB) (14) sur la structure et à créer des données de mesure indicatives des dimensions de motif latérales de la structure ; (iii) à analyser l'ensemble des données de mesure afin d'utiliser les résultats des mesures soit de diffusiométrie, soit de MEB, de sorte à optimiser les autres résultats de mesure. Ce procédé et le système de mesure correspondant peuvent être utilisés pour mesurer des structures à motif, telles que des plaquettes de semiconducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)