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1. (WO2002046493) FABRICATION D'UNE ELECTRODE A COUCHE MINCE DE METAL NOBLE POUR SYSTEMES DE SUPER-INTEGRATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/046493    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/010609
Date de publication : 13.06.2002 Date de dépôt international : 05.12.2001
CIB :
C23C 18/44 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
Déposants : TANAKA KIKINZOKU KOGYO K.K. [JP/JP]; 6-6, Nihonbashikayabacho, 2-chome Chuo-ku, Tokyo 103-8206 (JP) (Tous Sauf US).
KITADA, Katsutsugu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KITADA, Katsutsugu; (JP)
Mandataire : TANAKA, Daisuke; No.1 Misawa Bldg., 15-2, Hongo 1-chome Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-369529 05.12.2000 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING NOBLE METAL THIN FILM ELECTRODE FOR USLI
(FR) FABRICATION D'UNE ELECTRODE A COUCHE MINCE DE METAL NOBLE POUR SYSTEMES DE SUPER-INTEGRATION
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing a thin film electrode for ULSI, which comprises contacting a wafer with an electroless plating solution comprising a noble metal ion and a reducing agent to thereby deposit the noble metal. The method can be suitably employed for producing a thin film electrode comprising platinum, iridium, ruthenium and an alloy thereof.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication d'électrodes à couche mince pour systèmes à super-intégration (USLI). Ce procédé consiste à mettre une tranche en contact avec une solution de plaquage autocatalytique renfermant un ion de métal noble et un agent réducteur de manière à déposer ledit métal noble. Ce procédé convient bien pour la fabrication d'électrodes à couche mince comprenant du platine, de l'iridium, du ruthénium et un alliage de ces métaux.
États désignés : KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)