WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002045871) SYSTEME ET PROCEDE DE DEPOT MODULE D'UNE COUCHE ATOMIQUE INDUITE PAR DES IONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/045871 N° de la demande internationale : PCT/US2001/050350
Date de publication : 13.06.2002 Date de dépôt international : 09.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 25.06.2002
CIB :
C23C 16/02 (2006.01) ,C23C 16/08 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/46 (2006.01) ,C23C 16/48 (2006.01) ,C23C 16/511 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : ANGSTRON SYSTEMS, INC.[US/US]; 3350 Scott Boulevard #62 Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs : CHIANG, Tony, P.; US
LEESER, Karl, F.; US
Mandataire : FERRELL, John, S. ; Carr & Ferrell LLP 2225 East Bayshore Road Suite 200 Palo Alto, CA 94303, US
Données relatives à la priorité :
09/812,28519.03.2001US
09/812,35219.03.2001US
09/812,48619.03.2001US
09/854,09210.05.2001US
60/251,79506.12.2000US
60/254,28006.12.2000US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR MODULATED ION-INDUCED ATOMIC LAYER DEPOSITION (MII-ALD)
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE DEPOT MODULE D'UNE COUCHE ATOMIQUE INDUITE PAR DES IONS
Abrégé : front page image
(EN) The present invention relates to an enhanced sequential or non-sequential atomic layer deposition (ALD) apparatus and technique suitable for deposition of barrier layers, adhesion layers, seed layers, low dielectric constant (low-k) films, high dielectric constant (high-k) films, and other conductive, semi-conductive, and non-conductive films. This is accomplished by providing a non-thermal or non-pyrolytic means of triggering the deposition reaction; providing a means of depositing a purer film of higher density at lower temperatures; providing a means of modulating the deposition sequence and hence the overall process rate; and providing a means of improved radical (176) generation and delivery.
(FR) La présente invention porte sur un appareil et une technique de dépôt améliorés d'une couche atomique séquentielle ou non séquentielle, ce procédé et cette technique étant appropriés au dépôt de couches barrières, de couches adhésives, de couches de germes cristallins, de films à faible constante diélectrique, de films à haute constante diélectrique et d'autres films conducteurs, semi-conducteurs et non conducteurs. Ce procédé consiste à former un système non thermique ou non pyrolytique de déclenchement de la réaction de dépôt ; former un système de dépôt d'un film plus pur de haute densité à basses températures ; former un système de modulation de la séquence de dépôt et, par conséquent, de la vitesse de traitement global; et former un système pour améliorer la génération et la distribution de radicaux (176).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)