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1. (WO2002045470) SUBSTRAT ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/045470    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/010378
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 28.11.2001
CIB :
C04B 35/581 (2006.01), H01L 23/15 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01)
Déposants : TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho Tokuyama-shi, Yamaguchi 745-0053 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAMOTO, Reo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMIYAMA, Yoshihide [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MINABE, Yuichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAMOTO, Reo; (JP).
KAMIYAMA, Yoshihide; (JP).
MINABE, Yuichiro; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Shunichiro; SUZUKI & ASSOCIATES Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome Shinagawa-ku, Tokyo 141-0031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-365401 30.11.2000 JP
Titre (EN) SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)An aluminum nitride substrate having a via hole (3) and an inner conductive layer (2), wherein an aluminum nitride sintered body has a high thermal conductivity, has a high bonding strength to the layer (2) and the via hole (3), and are excellent in other properties. The substrate comprises a conductor layer (2) formed thereinside, and an aluminum nitride sintered body formed with at least one conductive via hole (3) between the inner conductive layer (2) and one surface of the substrate, characterized in that the aluminum nitride sintered body has a thermal conductivity at 25°C of at least 190 W/mK and a bonding strength to the inner conductive layer (2) of at least 5.0 kg/mm?2¿.
(FR)Cette invention se rapporte à un substrat en nitrure d'aluminium, comprenant un trou d'interconnexion (3) et une couche conductrice interne (2). Dans ce substrat, un corps fritté en nitrure d'aluminium possède une conductivité thermique élevée, une résistance élevée de liaison à la couche (2) et au trou d'interconnexion (3) ainsi que d'autres propriétés excellentes. A l'intérieur de ce substrat est formée une couche conductrice (2), et un corps fritté en nitrure d'aluminium est formé avec au moins un trou d'interconnexion conducteur (3) entre la couche conductrice interne (2) et l'une des surfaces du substrat, lequel se caractérise en ce que le corps fritté en nitrure d'aluminium possède une conductivité thermique à 25 °C d'au moins 190 W/mK et une résistance de liaison à la couche conductrice interne (2) d'au moins 5,0 kg/mm?2¿.
États désignés : CA, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)