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1. (WO2002045256) ETAGE SEPARATEUR AUTOCOMPENSATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/045256    N° de la demande internationale :    PCT/GB2001/005271
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 28.11.2001
CIB :
G09G 3/36 (2006.01), H03K 5/24 (2006.01)
Déposants : IMPERIAL COLLEGE OF SCIENCE [GB/GB]; Technology and Medicine 47 Prince's Gate Exhibition Road London SW7 2QA (GB) (Tous Sauf US).
LEE, Michael, John [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
BURDETT, Alison [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
CHEN, Yung, Chin [--/--]; (TW) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Michael, John; (GB).
BURDETT, Alison; (GB).
CHEN, Yung, Chin; (TW)
Mandataire : SHINDLER, Nigel; Brookes Batchellor 102-108 Clerkenwell Road London EC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
0029245.8 30.11.2000 GB
Titre (EN) SELF-COMPENSATING BUFFER AMPLIFIER
(FR) ETAGE SEPARATEUR AUTOCOMPENSATEUR
Abrégé : front page image
(EN)A clocked buffer amplifier circuit which is adapted to reduce the error between the input and the output by compensating for possible variations in the threshold voltage of an output transistor, the circuit including a storage capacitor which is arranged to be pre-charged to a voltage which matches the threshold voltage of the output transistor, so that the offset effect of the threshold voltage can be compensated, at the output of the amplifier.
(FR)L'invention concerne un circuit d'étage séparateur avec entrée d'horloge qui permet de réduire l'erreur entre l'entrée et la sortie par la compensation des éventuelles variations de la tension de seuil d'un transistor de sortie. Ce circuit comprend un condensateur-accumulateur d'énergie qui peut être préchargé à une tension correspondant à la tension seuil du transistor de sortie de manière à permettre la compensation de l'effet de décalage de la tension de seuil à la sortie de l'amplificateur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)