WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002045185) DIODES POLYMERES ELECTROLIMINESCENTES (PLED) A BANDE LARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/045185    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/014093
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 03.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.06.2002    
CIB :
C08G 61/02 (2006.01), C08G 61/12 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54, 80636 München (DE) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NL, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
JANIETZ, Silvia [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WEDEL, Armin [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : JANIETZ, Silvia; (DE).
WEDEL, Armin; (DE)
Mandataire : ALBRECHT, Thomas; Kraus & Weisert, Thomas-Wimmer-Ring 15, 80539 München (DE)
Données relatives à la priorité :
100 59 810.2 01.12.2000 DE
Titre (DE) BREITBANDIG LICHTEMITTIERENDE POLYMERE DIODEN (PLED)
(EN) BROADBAND LIGHT-EMITTING POLYMERIC DIODES (PLED)
(FR) DIODES POLYMERES ELECTROLIMINESCENTES (PLED) A BANDE LARGE
Abrégé : front page image
(DE)Beschrieben wird eine neue polymere lichtemittierende Diode (PLED), umfassend (i) eine transparente Elektrode als Anode, (ii) eine Metallelektrode als Kathode, (iii) ein organisches lichtemittierendes Zweischichtsystem und gegebenenfalls (iv) mindestens eine Lochtransportschicht, wobei das organische lichtemittierene Zweischichtsystem (iii) aus einer Schicht eines rot emittierenden polymeren Materials und einer Schicht eines blau emittierenden elektronentransportierenden polymeren Materials besteht, mit der Ma$g(b)gabe, da$g(b) sich die Schicht des rot emittierenden Materials auf der transparenten Anode oder einer der gegebenenfalls vorhandenen Lochtransportschichten befindet, sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
(EN)The invention relates to a novel polymeric light-emitting diode (PLED) comprising: (i) a transparent electrode serving as an anode; (ii) a metal electrode serving as a cathode; (iii) an organic light-emitting two-layer system and, optionally; (iv) at least one hole transport layer, whereby the organic light-emitting two-layer system (iii) is comprised of a layer made of a red-emitting polymeric material and is comprised of a layer made of a blue-emitting electron-transporting polymeric material, with the provision that the layer made of the red-emitting material is located on the transparent anode or on one of the optionally available hole transport layers. The invention also relates to a method for producing said polymeric light-emitting diode (PLED).
(FR)L'invention concerne une nouvelle diode polymère électroluminescente (PLED), comprenant (i) une électrode transparente servant d'anode; (ii) une électrode métallique servant de cathode; (iii) un système à deux couches organique électroluminescent et éventuellement (iv) au moins une couche à picots. Le système à deux couches organique électroluminescent (iii) comprend une couche d'un matériau polymère émettant en rouge et une couche d'un matériau polymère émettant en bleu, qui transporte des électrons, sous réserve que la couche du matériau émettant en rouge se trouve sur l'anode transparente ou sur des couches à picots éventuellement présente. L'invention concerne en outre un procédé permettant de produire ladite diode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)