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1. (WO2002045177) TERMINAISON DE BORD EPITAXIALE POUR DISPOSITIFS DE SCHOTTKY AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS AU CARBURE DE SILICIUM DANS LESQUELS CES TERMINAISONS SONT INCORPOREES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/045177 N° de la demande internationale : PCT/US2001/047924
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 06.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 21.06.2002
CIB :
H01L 29/24 (2006.01) ,H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : CREE, INC.[US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703, US
Inventeurs : SINGH, Ranbir; US
Mandataire : O'SULLIVAN, Timothy, J.; Myers, Bigel, Sibley & Sajovec, P.A. P.O. Box 37428 Raleigh, NC 27627, US
Données relatives à la priorité :
09/723,71028.11.2000US
Titre (EN) EPITAXIAL EDGE TERMINATION FOR SILICON CARBIDE SCHOTTKY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING SILICON CARBIDE DEVICES INCORPORATING SAME
(FR) TERMINAISON DE BORD EPITAXIALE POUR DISPOSITIFS DE SCHOTTKY AU CARBURE DE SILICIUM ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS AU CARBURE DE SILICIUM DANS LESQUELS CES TERMINAISONS SONT INCORPOREES
Abrégé : front page image
(EN) Edge termination for a silicon carbide Schottky rectifier is provided by including a silicon carbide epitaxial region (16) on a voltage blocking layer (14) of the Schottky rectifier and adjacent a Schottky contact (18) of the silicon carbide Schottky rectifier. The silicon carbide epitaxial layer (16) may have a thickness and a doping level so as to provide a charge in the silicon carbide epitaxial region based on the surface doping of the blocking layer (14). The silicon carbide epitaxial region (16) may form a non-ohmic contact with the Schottky contact (18). The silicon carbide epitaxial region (16) may have a width of from about 1.5 to about 5 times the thickness of the blocking layer (14). Schottky rectifiers with such edge termination and methods of fabricating such edge termination and such rectifiers are also provided.
(FR) La présente invention concerne une terminaison de bord de redresseur Schottky au carbure de silicium, que l'on forme en incluant une zone épitaxiale au carbure de silicium sur une couche de blocage de tension du redresseur Schottky et à proximité d'un contact Schottky du redresseur Schottky au carbure de silicium. La couche épitaxiale au carbure de silicium peut présenter une épaisseur et un niveau de dopage tels qu'elle fournit une charge dans la zone épitaxiale au carbure de silicium qui est fonction du dopage superficiel de la couche de blocage. La zone épitaxiale au carbure de silicium peut former un contact non ohmique avec le contact Schottky. La zone épitaxiale au carbure de silicium peut posséder une largeur comprise entre environ 1,5 et environ 5 fois l'épaisseur de la couche de blocage. L'invention se rapporte également à des redresseurs Schottky dotés de la terminaison de bord précitée et à des procédés de fabrication de la terminaison de bord et des redresseurs précités. Les procédés de l'invention peuvent également améliorer de manière avantageuse les performances des dispositifs obtenus et simplifier leur processus de fabrication.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)