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1. (WO2002045176) CELLULE DE MEMOIRE NON VOLATILE A AUTO-ALIGNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/045176    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/032157
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 15.10.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.06.2002    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, CA 95131 (US)
Inventeurs : LOJEK, Bohumil; (US).
RENNINGER, Alan, L.; (US)
Mandataire : SCHNECK, Thomas; Law Offices of Thomas Schneck, P.O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US)
Données relatives à la priorité :
09/727,571 30.11.2000 US
Titre (EN) SELF-ALIGNED NON-VOLATILE MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MEMOIRE NON VOLATILE A AUTO-ALIGNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a self-aligned non-volatile memory cell (200) comprising a small sidewall spacer (239) electrically coupled and being located next to a main floating gate region (212). Both the small sidewall spacer (239) and the main floating gate region (212) are formed on a substrate (204) and both form the floating gate of the non-volatile memory cell. Both are isolated electrically from the substrate by an oxide layer (232) which is thinner (260) between the small sidewall spacer (239) and the substrate (204); and is thicker (263) between the main floating gate region (212) and the substrate (204). The small sidewall spacer (239) can be made small; therefore, the thin oxide layer area can also be made small to create a small pathway for electrons to tunnel into the floating gate.
(FR)Cette invention concerne une cellule de mémoire à auto-alignement (200) comprenant une petite paroi intercalaire (239) couplée électriquement et disposée contre une région de grille flottante principale (212). La cloison intercalaire (239) et la région de grille flottante principale (212) sont toutes deux formées sur un substrat (204) et constituent ensemble la grille flottante de la cellule de mémoire non volatile. Toutes deux sont isolées électriquement du substrat par une couche d'oxyde (232) qui est plus mince entre la petite paroi intercalaire (239) et le substrat (204) et plus épaisse entre ledit substrat et la région à grille flottante principale (212). Compte tenu de la petite taille de la paroi intercalaire (239), la région de la couche d'oxyde est également petite, ce qui permet ce créer un petit passage par lequel les électrons pénètrent par effet de tunnel dans la grille flottante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)