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1. (WO2002045166) PROCEDE PERMETTANT D'ELIMINER LES FISSURES DUES AU DELAMINAGE D'INTERFACES DE CONDUCTEUR DE GRILLE DANS DES CIRCUITS INTEGRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/045166    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/051206
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 13.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.06.2002    
CIB :
H01L 21/78 (2006.01), H01L 23/58 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street, San Jose, CA 95112-4508 (US).
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : GUTHRIE, William; (US).
KLUWE, Andreas; (US).
RUPRECHT, Michael; (US)
Mandataire : BRADEN, Stanton, C.; Siemens Corporation - Intellectual Property Dept., 186 Wood Ave. South, Iselin, NJ 08830 (US).
EPPING HERMANN & FISHER; Ridlerstrasse 55, 80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
09/717,970 21.11.2000 US
Titre (EN) METHOD FOR ELIMINATING CRACK DAMAGE AT INTERFACES IN INTEGRATED CIRCUITS
(FR) PROCEDE PERMETTANT D'ELIMINER LES FISSURES DUES AU DELAMINAGE D'INTERFACES DE CONDUCTEUR DE GRILLE DANS DES CIRCUITS INTEGRES
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing integrated circuits ('IC') on wafers to manage crack damage in the ICs such that crack propagation into the IC active array is reduced or eliminated. The method provides for a defined separation or divide of the IC gate conductor from the IC crack stop or IC edge. The method is especially useful in managing crack damage induced through the delamination of one or more of the gate conductor surface interfaces as a result of the IC wafer dicing process. Circuits or chips manufactured according to the methods disclosed are also taught.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de circuits intégrés sur des plaquettes qui permet de gérer les fissures endommageant les circuits intégrés afin de réduire ou d'éliminer la propagation des fissures dans le réseau actif du circuit intégré. Ce procédé assure une séparation définie entre le conducteur de grille du circuit intégré et la fin des fissures du circuit intégré ou bord du circuit intégré. Ce procédé convient notamment pour la gestion des fissures provoquées par le délaminage d'une ou de plusieurs interfaces de surface du conducteur de grille résultant du processus de découpage en dés de la plaquette. L'invention concerne également des circuits ou des puces fabriqués conformément au procédé décrit.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)