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1. (WO2002045153) PROCEDE ET APPAREIL D'INSPECTION UTILISANT UN FAISCEAU D'ELECTRONS, ET PROCEDE DE PRODUCTION DE DISPOSITIF UTILISANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/045153    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/009626
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 02.11.2001
CIB :
G01N 23/225 (2006.01), H01J 37/06 (2006.01), H01J 37/073 (2006.01), H01J 37/18 (2006.01), H01J 37/20 (2006.01), H01J 37/22 (2006.01), H01J 37/244 (2006.01), H01J 37/28 (2006.01)
Déposants : EBARA CORPORATION [JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho Ohta-ku, Tokyo 144-8510 (JP) (Tous Sauf US).
KIMBA, Toshifumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATAKE, Tohru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KARIMATA, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATANABE, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOJI, Nobuharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MURAKAMI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HATAKEYAMA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKASUJI, Mamoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SOBUKAWA, Hirosi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIKAWA, Shoji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OOWADA, Shin [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAITO, Mutsumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIMBA, Toshifumi; (JP).
SATAKE, Tohru; (JP).
KARIMATA, Tsutomu; (JP).
WATANABE, Kenji; (JP).
NOJI, Nobuharu; (JP).
MURAKAMI, Takeshi; (JP).
HATAKEYAMA, Masahiro; (JP).
NAKASUJI, Mamoru; (JP).
SOBUKAWA, Hirosi; (JP).
YOSHIKAWA, Shoji; (JP).
OOWADA, Shin; (JP).
SAITO, Mutsumi; (JP)
Mandataire : SHAMOTO, Ichio; YUASA AND HARA Section 206, New Ohtemachi Bldg. 2-1, Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-367082 01.12.2000 JP
2000-371078 06.12.2000 JP
2001-2234 10.01.2001 JP
2001-31901 08.02.2001 JP
2001-31906 08.02.2001 JP
2001-33599 09.02.2001 JP
2001-37212 14.02.2001 JP
2001-73374 15.03.2001 JP
2001-89107 27.03.2001 JP
2001-114999 13.04.2001 JP
2001-124244 23.04.2001 JP
2001-158662 28.05.2001 JP
2001-184733 19.06.2001 JP
Titre (EN) INSPECTION METHOD AND APPARATUS USING ELECTRON BEAM, AND DEVICE PRODUCTION METHOD USING IT
(FR) PROCEDE ET APPAREIL D'INSPECTION UTILISANT UN FAISCEAU D'ELECTRONS, ET PROCEDE DE PRODUCTION DE DISPOSITIF UTILISANT CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)A substrate inspection apparatus (1-1) (Fig.1) carries a substrate (S), an inspection object, into an inspection room (23-1), keeps the inspection room vacuumized and free from vibration, continously transfers the substrate on a stage (26-1) with at least one degree of freedom for irradiation by an electron beam with a specific width, allows the beam to reach the surface of the substrate via a primary electron optical system (10-1), traps secondary electrons generated from the substrate via a secondary electron optical system (20-1) for leading to a detection system (35-1), forms a secondary election image by an image processing system based on the detection signal of a secondary electron beam obtained from the detection system, detects the defective position of the substrate based on the secondary electron image formed by the image processing system, displays and/or stores the defective position by the CPU (37-1), and carries the inspected substrate out of the inspection room, whereby continously inspecting the defect of the substrate with high accuracy, efficiency and throughput.
(FR)Dans cette invention, un appareil d'inspection de substrat (1-1) porte un substrat (S), c.-à-d. un objet d'inspection, dans une chambre d'inspection (23-1), maintient cette chambre sous vide et sans vibrations, transfère en continu le substrat sur un étage (26-1) avec au moins un degré de liberté pour le soumettre au rayonnement d'un faisceau d'électrons avec une largeur spécifique, permet au faisceau d'atteindre la surface du substrat via un système d'optique électronique primaire (10-1), piège les électrons secondaires émis par le substrat via un système d'optique électronique secondaire (20-1) pour les acheminer vers un système de détection (35-1), forme une image de détection secondaire par l'intermédiaire d'un système de traitement d'image, sur la base du signal de détection d'un faisceau d'électrons secondaire provenant du système de détection, détecte toute mauvaise position du substrat sur la base de l'image électronique secondaire formée par le système de traitement d'image, affiche et/ou stocke la mauvaise position par l'intermédiaire de l'unité centrale (37-1), et enfin, fait sortir le substrat inspecté à l'extérieur de la chambre d'inspection. Par ailleurs, ce système inspecte en continu les mauvaises positions du substrat avec des capacités élevées en terme de précision, d'efficacité et de débit.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, NL).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)