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1. (WO2002045151) BOITIER SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/045151    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/010286
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 26.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.06.2002    
CIB :
H01L 23/495 (2006.01), H01L 25/10 (2006.01)
Déposants : KANEBO, LIMITED [JP/JP]; 17-4, Sumida 5-chome, Sumida-ku, Tokyo 131-0031 (JP) (Tous Sauf US).
KANEBO MICROELECTRONICS, LIMITED [JP/JP]; 1-8, Shioya 1-chome, Sumoto-shi, Hyogo 656-8501 (JP) (Tous Sauf US).
NAGATA, Yasunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ONODA, Hideki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGAI, Mitsuru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SETODA, Shigeyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HATADA, Kenzo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORIMOTO, Koichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGATA, Yasunori; (JP).
ONODA, Hideki; (JP).
NAGAI, Mitsuru; (JP).
SETODA, Shigeyuki; (JP).
HATADA, Kenzo; (JP).
MORIMOTO, Koichiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-367492 01.12.2000 JP
2001-302651 28.09.2001 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) BOITIER SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor package having a structure in which the surface of a semiconductor chip (30) is protected with a resin film (12) having a conductor wiring layer (11) and a method for manufacturing the semiconductor package. The surface of the semiconductor chip (30) and the resin film (12) are directly jointed by fusing the resin film (12), and a part of the conductor wiring layer (11) is connected with the electrode portion of the semiconductor chip (30) and another part of the conductor wiring layer (11) is exposed outside as an external terminal. The semiconductor package is highly reliable and excellent although it has a wireless/fine pitch and an extremely small thickness.
(FR)L'invention concerne un boîtier semi-conducteur possédant une structure dans laquelle la surface d'une puce semi-conductrice (30) est protégée par un film (12) de résine comprenant une couche (11) de câblage conductrice, et un procédé de fabrication du boîtier semi-conducteur. La surface de la puce semi-conductrice (30) et le film (12) de résine sont directement unis par fusion du film (12) de résine, et une partie de la couche (11) de câblage conductrice est connectée à l'électrode de la puce semi-conductrice (30) et une autre partie de la couche (11) de câblage semi-conductrice est exposée à l'extérieur comme terminal externe. Le boîtier semi-conducteur est hautement fiable et excellent bien qu'il présente un pas fin/sans fil et une très petite épaisseur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)