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1. (WO2002045143) TRAITEMENT D'UNE TRANCHE A SEMI-CONDUCTEURS PERMETTANT D'AUGMENTER L'ETENDUE DE LA SURFACE PLANE UTILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/045143    N° de la demande internationale :    PCT/AU2001/001546
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 29.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.06.2002    
CIB :
B23K 101/40 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/50 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : ORIGIN ENERGY RETAIL LIMITED [AU/AU]; Level 6, King William Street, Adelaide, South Australia 5000 (AU) (Tous Sauf US).
WEBER, Klaus, Johannes [DE/AU]; (AU) (US Seulement).
BLAKERS, Andrew, William [AU/AU]; (AU) (US Seulement)
Inventeurs : WEBER, Klaus, Johannes; (AU).
BLAKERS, Andrew, William; (AU)
Mandataire : SPRUSON & FERGUSON; G.P.O. Box 3898, Sydney, NSW 2001 (AU)
Données relatives à la priorité :
PR 1748 29.11.2000 AU
Titre (EN) SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING TO INCREASE THE USABLE PLANAR SURFACE AREA
(FR) TRAITEMENT D'UNE TRANCHE A SEMI-CONDUCTEURS PERMETTANT D'AUGMENTER L'ETENDUE DE LA SURFACE PLANE UTILE
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides a method for increasing the usable surface area of a semiconductor wafer having a substantially planar surface and a thickness dimension at right angles to said substantially planar surface, the method including the steps of selecting a strip thickness for division of the wafer into a plurality of strips, selecting a technique for cutting the wafer into the strips at an angle to the substantially planar surface, in which the combined strip thickness and width of wafer removed by the cutting is less than the thickness of the wafer, cutting the wafer into strips using the selected technique and separating the strips from each other.
(FR)La présente invention concerne un procédé qui permet d'augmenter l'étendue de la surface utile d'une tranche à semi-conducteurs comportant une surface sensiblement plane et présentant une dimension en épaisseur formant un angle droit par rapport à ladite surface sensiblement plane. Le procédé consiste à sélectionner une épaisseur de bande permettant de diviser la tranche en une pluralité de bandes; à sélectionner une technique permettant de couper les bandes dans la tranche au niveau d'un angle formé par rapport à la surface sensiblement plane, cette technique étant telle que la combinaison de l'épaisseur et de la largeur de bande d'une tranche éliminée par la coupe est inférieure à l'épaisseur de la tranche; à couper la tranche sous forme de bandes au moyen de la technique sélectionnée; puis à séparer les bandes les unes des autres.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)