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1. (WO2002045141) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUETTES À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/045141    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/010309
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 27.11.2001
CIB :
H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (Tous Sauf US).
KOBAYASHI, Norihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAMIZAWA, Kazuhisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOBAYASHI, Norihiro; (JP).
TAKAMIZAWA, Kazuhisa; (JP)
Mandataire : ISHIHARA, Shoji; No.302, Wakai Bldg. 7-8, Higashi-Ikebukuro 3-chome Toshima-ku, Tokyo 170-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-363258 29.11.2000 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUETTES À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor wafer comprising a heat treatment which can suppress the generation of slip dislocation even under a heat treatment with an RTA apparatus. A method for manufacturing a semiconductor wafer having the step of heat-treating the semiconductor wafer at a predetermined temperature with an RTA apparatus comprises a heat treatment in such a condition that the temperature is so controlled that the temperature of the semiconductor wafer at least at a contact with a support jig which supports at least the semiconductor wafer may be below the temperature at the center by 3-20 ° C.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une plaquette à semi-conducteur comprenant un traitement thermique qui peut supprimer la production de dislocation même lors d'un traitement thermique au moyen d'un appareil de recuit thermique rapide. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une plaquette à semi-conducteur consistant à traiter thermiquement ladite plaquette à une température prédéfinie au moyen d'un appareil de recuit thermique rapide comprenant un traitement thermique dans des conditions telles que la température de la plaquette à semi-conducteur est régulée de manière à être inférieure à la température du centre entre 3 et 20 °C, du moins lorsque celle-ci est en contact avec un gabarit support supportant au moins la plaquette à semi-conducteur.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)