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1. (WO2002045127) PROCEDES DE DETECTION DE LA FIN D'UN PROCESSUS DE PLANARISATION DE PLAQUETTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/045127    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/011838
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 11.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.06.2002    
CIB :
B24B 21/04 (2006.01), B24B 37/013 (2012.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center, P.O. Box 33427, Saint Paul, MN 55133-3427 (US)
Inventeurs : FUNKENBUSCH, Eric, F.; (US)
Mandataire : PASTIRIK, Daniel, R.; Office of Intellectual Property Counsel, P.O. Box 33427, Saint Paul, MN 55133-3427 (US).
VOSSIUS & PARTNER (No. 31); Patentanwalte, P.O. Box 86 07 67, 81634 Munich (DE)
Données relatives à la priorité :
09/727,935 01.12.2000 US
Titre (EN) METHODS OF ENDPOINT DETECTION FOR WAFER PLANARIZATION
(FR) PROCEDES DE DETECTION DE LA FIN D'UN PROCESSUS DE PLANARISATION DE PLAQUETTES
Abrégé : front page image
(EN)A method for monitoring the endpoint for a silicon wafer or other semiconductor device CMP process. A fixed abrasive article, such as a three dimensional abrasive article, is used to planarize the wafer in the presence of a working fluid. A component in the effluent from the CMP process is monitored to predict the CMP endpoint. In some embodiments, the component monitored is a reaction production between a component from the silicon wafer and a reactant.
(FR)L'invention concerne un procédé de surveillance permettant de détecter la fin du processus de planarisation mécano-chimique (CMP) d'une tranche de silicium ou d'un autre dispositif semi-conducteur. La planarisation de la plaquette est effectuée au moyen d'un article abrasif fixe, par exemple un article abrasif tridimensionnel, en présence d'un fluide de travail. Ce procédé consiste à surveiller un composant contenu dans l'effluent du processus CMP afin de prédire le point de fin de processus. Dans certains modes de mise en oeuvre, le composant surveillé est un produit réactionnel issu de la réaction entre un composant de la plaquette de silicium et un réactif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)