WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002044812) MASQUE A DECALAGE DE PHASE ATTENUE INTEGRE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN MASQUE A DECALAGE DE PHASE ATTENUE INTEGRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/044812    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/044814
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 30.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.06.2002    
CIB :
G03F 1/00 (2012.01)
Déposants : UNAXIS USA INC. [US/US]; 10050 16th Street North, St. Petersburg, FL 33716 (US) (Tous Sauf US).
WESTERMAN, Russell [US/US]; (US) (US Seulement).
CONSTANTINE, Christopher [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WESTERMAN, Russell; (US).
CONSTANTINE, Christopher; (US)
Mandataire : KAMINSKI, Michael, D.; Foley & Lardner, Washington Harbour, 3000 K Street, N.W., Suite 500, Washington, DC 20007-5109 (US)
Données relatives à la priorité :
60/250,351 01.12.2000 US
Titre (EN) EMBEDDED ATTENUATED PHASE SHIFT MASK AND METHOD OF MAKING EMBEDDED ATTENUATED PHASE SHIFT MASK
(FR) MASQUE A DECALAGE DE PHASE ATTENUE INTEGRE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN MASQUE A DECALAGE DE PHASE ATTENUE INTEGRE
Abrégé : front page image
(EN)An embedded attenuated phase shift mask ('EAPSM') includes an etch stop layer that can be plasma etched in a process that is highly selective to the underlying quartz substrate. Selectivity to the underlying quartz maintains a desired 180 degree phase shift uniformly across the active mask area. Conventional plasma etching techniques can be utilized without damage to the underlying quartz substrate. Alternatively, the etch stop layer comprises a transparent material that can remain intact ion the mask structure.
(FR)L'invention concerne un masque à décalage de phase atténué intégré ('EAPSM') comprenant une couche d'arrêt de gravure pouvant être gravée au plasma dans un processus hautement sélectif par rapport au substrat de quartz sous-jacent. La sélectivité par rapport au quartz sous-jacent maintient un décalage de phase uniforme désiré de 180 degrés dans la zone de masquage active. Les techniques de gravure au plasma classiques peuvent être utilisées sans endommager le substrat de quartz sous-jacent. En variante, la couche d'arrêt de gravure comprend un matériau transparent pouvant rester intact dans la structure du masque.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)