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1. (WO2002044445) PROCEDE DE SEPARATION DE COUCHES EN PARTICULIER CRISTALLINES ET DISPOSITIF POUR LA MISE EN OEUVRE DUDIT PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/044445    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/012467
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 27.10.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.05.2002    
CIB :
C23C 16/455 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01)
Déposants : AIXTRON AG [DE/DE]; Kackertstrasse 15-17, 52072 Aachen (DE) (Tous Sauf US).
BREMSER, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
DAUELSBERG, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STRAUCH, Gerd [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BREMSER, Michael; (US).
DAUELSBERG, Martin; (DE).
STRAUCH, Gerd; (DE)
Mandataire : GRUNDMANN, Dirk; Corneliusstrasse 45, 42329 Wuppertal (DE)
Données relatives à la priorité :
100 57 134.4 17.11.2000 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN VON INSBESONDERE KRISTALLINEN SCHICHTEN SOWIE VORRICHTUNG ZUR DURCHFÜHRUNG DES VERFAHRENS
(EN) METHOD FOR DEPOSITING ESPECIALLY, CRYSTALLINE LAYERS AND DEVICE FOR CARRYING OUT THE METHOD
(FR) PROCEDE DE SEPARATION DE COUCHES EN PARTICULIER CRISTALLINES ET DISPOSITIF POUR LA MISE EN OEUVRE DUDIT PROCEDE
Abrégé : front page image
(DE)1. Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten, in einer Prozesskammer (1) eines CVD-Reaktors, wobei zumindestens ein erstes (G1) und ein zweites (G2) Reaktions gas voneinander getrennte Zuleitungen (6,7) in jeweils eine Gasaustrittszone (8, 9) in einer Eingangs zone(E) der Prozesskammer (1) geleitet werden, wobei die Gasaustrittszonen (8, 9) zwischen dem Prozesskammerboden (2) und der Prozesskammerdecke (3) übereinander liegen und unterschiedliche Höhen (H1, H2) haben, wobei das erste Reaktionsgas (G1) gegebenenfalls zusammen mit einem Trägergas (T1) aus der Prozesskammerboden (2) benachbarten gasaustrittszone (9) strömt und wobei zumindestens dem aus dem Prozesskammerboden (2) entfernt liegenden Gasaustrittszone (9) strömende zweites Reaktionsgas (G2) ein Trägergas (T2) beigemischt ist und die Strömungsparameter so gewält sind, dass sich das zweite Reaktiongas (G2) im Wesentlichen nur in der Einganszone (E) pyrolytisch zerlegt und die Zerlegunsprodukte in einer stromabwärts der Eingangszonne (E) angeordneten Depositionszone (D) quer zur Stromrichtung der Gase (G1, G2, T1, T2) zu einem auf dem Prozesskammerboden (2) angeordnetem Substrat (4) diffundieren, umdort zusammen mit Zerlegungsprodukten des ersten Reaktionsgases (G1) zu einer Schicht zu kondensieren. Damit auch bei längeren Depositionszonen die Zerlegung der metallorganischen Zerlegungsprodukte im wesentlichen nur in der Eingangszone stattfindet und die Partialdrücke der Zerlegungsprodukte (Verarmung) in der Gasphase über der Depositionszone im Wesentlichen einen linearen Verlauf behält, schlägt die Erfindung vor, dass die kinematische Viskosität des dem zweiten Reaktionsgas (G2) beigemischten Trägergases (T2)insbesondere durch Mischung von zwei sich in ihrer kinematischen Viskosität stark unterscheidenden Gase (T2', T2') derart eingestellt wird, dass der Quotient der Reynolds-Zahlen (Ri, R2) in den beiden Gasaustrittszonen (8, 9) bei im Wesentlichen annähernd gleichgrossen mittleren Gasgeschwindigkeiten annähernd eins ist. Leitfigur: Fig. 1
(EN)The invention relates to a method for depositing especially, crystalline layers onto especially, crystalline substrates, in a process chamber (1) of a CVD reactor. At least one first (G1) and one second (G2) reaction gas are each led into a gas outlet area (8, 9) in an input area (E) of the process chamber (1), by means of separate delivery lines (6,7). The gas outlet areas (8, 9) lie one above the other between the floor (2) of the process chamber and the cover (3) of the process chamber and have different heights (H1, H2). The first reaction gas (G1) flows out of the gas outlet area (8) that is situated next to the process chamber floor (2), optionally together with a carrier gas (T1). A carrier gas (T2) is added at least to the second reaction gas (G2), which flows out of the gas outlet area (9) lying further away from the process chamber floor (2). The flow parameters are selected in such a way that the second reaction gas (G2) is essentially only pyrolytically decomposed in the inlet area (E) and the products of decomposition diffuse crosswise to the direction of flow of the gases (G1, G2, T1, T2) to a substrate (4) located on the process chamber floor (2), in a deposition area (D) which is located downstream of the input area (E). Upon reaching said substrate, said products of decomposition condense to form a layer, together with products of decomposition of the first reaction layer (G1). The invention aims to ensure that the decomposition of the organometallic products of decomposition takes place essentially only in the inlet area, even in the case of longer deposition areas, and to ensure that the partial pressures of the products of decomposition (depletion) in the gas phase above the deposition area maintain an essentially linear course. To this end, the invention provides that the kinematic viscosity of the carrier gas (T2) that is added to the second reaction gas (G2) is adjusted, especially by mixing two gases (T2', T'') which differ considerably in terms of their kinematic viscosity, in such a way that the quotient of Reynolds numbers (R1, R2) in the two gas outlet areas (8, 9) is approximately one for essentially approximately identical average gas speeds.
(FR)L'invention concerne un procédé de séparation de couches en particulier cristallines sur des substrats en particulier cristallins dans une chambre de traitement (1) d'un réacteur CVD. Selon ce procédé, au moins un premier (G1) et un deuxième (G2) gaz de réaction sont acheminés à travers des conduits (6,7) séparés l'un de l'autre jusqu'à une zone d'échappement de gaz respective (8, 9) située dans une zone d'admission (E) de la chambre de traitement (1). Ces zones d'échappement (8, 9) sont superposées entre le fond (2) et le couvercle (3) de la chambre de traitement et présentent des hauteurs différentes (H1, H2). Le premier gaz de réaction (G1) s'échappe, éventuellement avec un gaz vecteur (T1), de la zone d'échappement (8) adjacente au fond (2) de la chambre de traitement et un gaz vecteur (T2) est ajouté au moins au deuxième gaz de réaction (G2) s'échappant de la zone d'échappement (9) éloignée du fond (2) de la chambre de traitement (9). Les paramètres d'écoulement sont sélectionnés, de sorte que le deuxième gaz de réaction (G2) subit une décomposition pyrolytique seulement dans la zone d'entrée (E) et les produits de décomposition se diffusent en direction d'un substrat (4) placé sur le fond (2) de la chambre de traitement dans une zone de dépôt (D) située en aval de la zone d'entrée (E) perpendiculairement au sens d'écoulement des gaz (G1, G2, T1, T2), afin de se condenser en une couche avec les produits de décomposition du premier gaz de réaction (G1). Selon la présente invention, afin que la décomposition des produits de décomposition métallorganiques n'ait lieu que dans la zone d'entrée même dans le cas de zones de dépôt plus longues et que les pressions partielles des produits de décomposition (appauvrissement) conservent un cours linéaire dans la phase gazeuse au-dessus de la zone de dépôt, la viscosité cinématique du gaz vecteur (T2) ajouté au deuxième gaz de réaction (G2) est réglée en particulier par le mélange de deux gaz (T2', T2'), se différenciant fortement par leur viscosité cinématique, de sorte que le quotient des nombres de Reynolds (R1, R2) dans les deux zones d'échappement (8, 9) est proche de un à des vitesses de gaz moyennes s'approchant sensiblement de la même grandeur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)