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1. (WO2002044444) PROCEDE ET APPAREIL DE PRODUCTION DE COLONNES M?III¿N ET CROISSANCE DE MATERIAUX M?III¿N SUR CELLES-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/044444    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/044992
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 30.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.05.2002    
CIB :
C23C 14/00 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01)
Déposants : KYMA TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 8829 Midway West Road, Raleigh, NC 27613 (US) (Tous Sauf US).
CUOMO, Jerome, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
WILLIAMS, N., Mark [US/US]; (US) (US Seulement).
CARLSON, Eric, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
HANSER, Andrew, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
THOMAS, Darin, T. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CUOMO, Jerome, J.; (US).
WILLIAMS, N., Mark; (US).
CARLSON, Eric, P.; (US).
HANSER, Andrew, D.; (US).
THOMAS, Darin, T.; (US)
Mandataire : JENKINS, Richard, E.; Jenkins & Wilson, P.A., Suite 1400, University Tower, 3100 Tower Boulevard, Durham, NC 27707 (US)
Données relatives à la priorité :
60/250,297 30.11.2000 US
60/250,337 30.11.2000 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING M?III¿N COLUMNS AND M?III¿N MATERIALS GROWN THEREON
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE PRODUCTION DE COLONNES M?III¿N ET CROISSANCE DE MATERIAUX M?III¿N SUR CELLES-CI
Abrégé : front page image
(EN)A method utilizes sputter transport techniques to produce arrays or layers of self-forming, self-oriented columnar structures characterized as discrete, single-crystal Group III nitride posts or columns on various substrates. The columnar structure is formed in a single growth step, and therefore does not require processing steps for depositing, patterning, and etching growth masks. A Group III metal source vapor is produced by sputtering a target, for combination with nitrogen supplied from a nitrogen-containing source gas. The III/V ratio is adjusted or controlled to create a Group III metal-rich environment within the reaction chamber conducive to preferential column growth. The reactant vapor species are deposited on the growth surface to produce single crystal M?III¿N columns thereon. The columns can be employed as a strainrelieving platform for the growth of continous, low defect-density, bulk materials. Additionally, the growth conditions can be readjusted to effect columnar epitaxial overgrowth, wherein coalescence of the Group III nitride Material occurs at the tops of the columns, thereby forming a substantially continuous layer upon which additional layers can be deposited. The intervening presence of the column structure mitigates thermal mismatch stress between substrates, films, or other layers above and below the columns. A high deposition rate sputter method utilizing a non-thermionic electron/plasma injector asssembly is provided to carrying out one or more of the growth steps.
(FR)L'invention concerne un procédé dans lequel sont utilisées des techniques de transport par pulvérisation afin d'obtenir des réseaux ou des couches de structures columnaires auto-formées et auto-orientées constituant des montants ou des colonnes discrètes de nitrure du groupe III à cristal unique sur divers substrats. La structure columnaire est formée au cours d'une seule étape de croissance et, par conséquent, ne nécessite pas d'autres étapes de traitement pour le dépôt, la modélisation et la gravure des masques de croissance. Une vapeur source d'un métal du groupe III est obtenue par pulvérisation d'une cible, pour une combinaison avec de l'azote obtenu d'un gas source contenant de l'azote. Le rapport III/V est ajusté ou réglé pour créer un environnement riche en métaux du groupe III dans la chambre de réaction favorable à une croissance de colonne préférentielle. Les espèces de vapeur de réaction sont déposées sur la surface de croissance pour y produire des colonnes M?III¿N à cristal unique. Les colonnes peuvent être utilisées en tant que plates-formes de réduction de tension pour la croissance de matériaux en vrac continus à faible densité de défauts. De plus, les conditions de croissance peuvent être réajustées afin d'obtenir une surcroissance columnaire épitaxiale, une coalescence du matériau de nitrure du groupe III se produisant sur les parties supérieures des colonnes, formant ainsi une couche sensiblement continue sur laquelle des couche supplémentaires peuvent être déposées. La présence intermédiaire de la structure columnaire limite les contraintes de désadaptation thermique entre les substrats, les films, ou d'autres couches au-dessus et en dessous des colonnes. L'invention concerne également un procédé de pulvérisation à taux de dépôt élevé utilisant un ensemble injecteur de plasma/électrons non thermionique afin de mettre en oeuvre une ou plusieurs des étapes de croissance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)