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1. (WO2002044443) PROCEDES ET APPAREIL PERMETTANT DE PRODUIRE DES MATIERES A BASE DE M'N
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/044443    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/044930
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 30.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.06.2002    
CIB :
C23C 14/00 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01)
Déposants : NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY [US/US]; 2401 Research Drive, Suite 1122, Campus Box 8210, Raleigh, NC 27695-8210 (US) (Tous Sauf US).
CUOMO, Jerome, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
WILLIAMS, N., Mark [US/US]; (US) (US Seulement).
CARLSON, Eric, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
HANSER, Andrew, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
THOMAS, Darin, T. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CUOMO, Jerome, J.; (US).
WILLIAMS, N., Mark; (US).
CARLSON, Eric, P.; (US).
HANSER, Andrew, D.; (US).
THOMAS, Darin, T.; (US)
Mandataire : JENKINS, Richard, E.; Jenkins & Wilson, P.A., Suite 1400, University Tower, 3100 Tower Boulevard, Durham, NC 27707 (US)
Données relatives à la priorité :
60/250,337 30.11.2000 US
60/250,297 30.11.2000 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR PRODUCING M'N BASED MATERIALS
(FR) PROCEDES ET APPAREIL PERMETTANT DE PRODUIRE DES MATIERES A BASE DE M'N
Abrégé : front page image
(EN)A high deposition rate sputter method is utilized to produce bulk, single-crystal, low-defect density Group III nitride materials suitable for microelectronic and optoelectronic devices and as substrates for subsequent epitaxy, and to produce highly oriented polycrystalline windows. A template material having an epitaxial-initiating growth surface is provided. A Group III metal target is sputtered in a plasma-enhanced environment using a sputtering apparatus comprising a non-thermionic electron/plasma injector assembly, thereby to producing a Group III metal source vapor. The Group III metal source vapor is combined with a nitrogen-containing gas to produce a reactant vapor species comprising Group III metal and nitrogen. The reactant vapor species is deposited on the growth surface to produce a single-crystal M?III¿ layer thereon. The template material is removed, thereby providing a free-standing, single-crystal M?III¿N article having a diameter of approximately 0.5 inch or greater and a thickness of approximately 50 microns or greater.
(FR)L'invention concerne un procédé de pulvérisation à vitesse de dépôt élevée servant à produire des composés nitrure du groupe III, notamment des composés nitrure monocristallins non épitaxiés qui présentent une densité à anomalies restreintes, lesquels composés nitrure conviennent à des dispositifs microélectroniques et optoélectroniques, en tant que substrats permettant de réaliser une épitaxie ultérieure. Ce procédé sert également à produire des fenêtres polycrystallines fortement orientées. A cet effet, on utilise une matière gabarit présentant une surface de croissance épitaxiale. Une cible métallique du groupe III est pulvérisée dans un environnement renforcé par plasma, à l'aide d'un appareil de pulvérisation comprenant un ensemble d'injection d'électrons/plasma non thermionique permettant de produire une vapeur de source métallique du groupe III. Cette vapeur de source métallique du groupe III est combinée avec un gaz contenant de l'azote afin d'obtenir une espèce de vapeur réactive contenant un métal du groupe III et de l'azote. Cette espèce de vapeur réactive est déposée sur la surface de croissance afin de former une couche monocristalline M?III¿ sur ladite surface. La matière gabarit est ainsi supprimée, ce qui permet de former un article de M?III¿N monocristallin et indépendant, dont le diamètre est d'environ 0,5 pouces ou plus et dont l'épaisseur est d'environ 50 microns ou plus.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)