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1. (WO2002044079) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE STRUCTURE TRIDIMENSIONNELLE ULTRA-FINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/044079    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/010346
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 27.11.2001
CIB :
C23C 16/04 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : SEIKO INSTRUMENTS INC. [JP/JP]; 8, Nakase 1-chome, Mihama-ku Chiba-shi, Chiba 261-8507 (JP) (Tous Sauf US).
KAITO, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAITO, Takashi; (JP)
Mandataire : SAKANOUE, Masaaki; c/o SEIKO INSTRUMENTS INC. 8, Nakase 1-chome, Mihama-ku Chiba-shi, Chiba 261-8507 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-363573 29.11.2000 JP
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING ULTRA FINE THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE STRUCTURE TRIDIMENSIONNELLE ULTRA-FINE
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing an ultra fine three-dimensional structure, characterized in that it is a deposition technique using a focused ion beam device wherein use id made of phenanthrene as a raw material gas and an ion of gallium, gold, silicon, beryllium or the like having 5 to 100 keV of liquid metal ion source, the density of the gas being blown is increased by 5 to 10 times as compared to a conventional deposition technique, and the gas from the gas gun is blown under the same condition with respect to all directions or is blown from symmetrical directions.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de structure tridimensionnelle ultra-fine, caractérisé en ce que c'est une technique de dépôt utilisant un dispositif à faisceau d'ions focalisé dans lequel on utilise le phénanthrène comme matière brute gazeuse et un ion de gallium, d'or, de silicium, de béryllium ou analogue à 5 à 100 keV partant d'une source liquide d'ions de métal, la densité du gaz soufflé étant augmenté de 5 à 10 fois par comparaison à une technique de dépôt conventionnelle, le gaz partant du canon à gaz étant soufflé dans les mêmes conditions dans toutes les directions ou étant soufflé depuis des directions symétriques.
États désignés : JP, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)