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1. (WO2002043803) SYSTEME D'IMPLANTATION IONIQUE ET PROCEDE DE CONTROLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/043803    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/018822
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 12.06.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.06.2002    
CIB :
H01J 37/08 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : SEMEQUIP, INC. [US/US]; Suite 200, 132 Great Road, Stow, MA 01775 (US) (Tous Sauf US).
HORSKY, Thomas, N. [US/US]; (US) (US Seulement).
COHEN, Brian, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
KRULL, Wade, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
SACCO, George, P., Jr. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HORSKY, Thomas, N.; (US).
COHEN, Brian, C.; (US).
KRULL, Wade, A.; (US).
SACCO, George, P., Jr.; (US)
Mandataire : PANIAGUAS, John, S.; Katten Muchin Zavis Rosenman, 525 W. Monroe Street, Suite 1600, Chicago, Il 60661 (US)
Données relatives à la priorité :
60/250,080 30.11.2000 US
09/736,097 13.12.2000 US
PCT/US00/33786 WO 13.12.2000 US
60/257,322 19.12.2000 US
60/267,260 07.02.2001 US
Titre (EN) ION IMPLANTATION SYSTEM AND CONTROL METHOD
(FR) SYSTEME D'IMPLANTATION IONIQUE ET PROCEDE DE CONTROLE
Abrégé : front page image
(EN)Ion implantation with high brightness, ion beam by ionizing gas or vapor, e.g. of dimers, or decaborane, by direct electron impact ionization adjacent the outlet aperture (46, 176) of the ionization chamber (80; 175)). Preferably: conditions are maintained that produce a substantial ion density and limit the transverse kinetic energy of the ions to less than 0.7 eV; width of the ionization volume adjacent the aperture is limited to width less than about three times the width of the aperture; the aperture is extremely elongated; magnetic fields are avoided or limited; low ion beam noise is maintained; conditions within the ionization chamber are maintained that prevent formation of an arc discharge. With ion beam optics, such as the batch implanter of Figure (20), or in serial implanters, ions from the ion source are transported to a target surface and implanted; advantageously, in some cases, in conjunction with acceleration-deceleration beam lines employing cluster ion beams. Also disclosed are electron gun constructions, ribbon sources for electrons and ionization chamber configurations. Forming features of semiconductor devices, e.g. drain extensions of CMOS devices, and doping of flat panels are shown.
(FR)L'invention concerne une implantation ionique à luminosité élevée, à faible émission de faisceau ionique par ionisation de gaz ou de vapeur, par exemple de dimères, ou de décaborane, par ionisation par impact d'électrons dans une région jouxtant l'orifice de sortie (46; 176) de la chambre d'ionisation (80; 175). De préférence, on maintient les conditions qui produisent une densité ionique sensible et une énergie cinétique transversale des ions inférieure à 0,7 e.V. La largeur du volume d'ionisation jouxtant l'orifice est limitée à une largeur inférieure à au moins trois fois celle de l'orifice. L'orifice est extrêmement allongé. Des champs magnétiques sont évités ou limités. Le bruit de faisceau ionique est maintenu bas, ainsi que les conditions à l'intérieur de la chambre d'ionisation qui permettent d'empêcher la formation d'une décharge en arc. A l'aide d'optiques de faisceau ionique, telles que l'implanteur d'ions par lots de la Figure 20, ou dans les implanteurs en série, les ions provenant de la source ionique sont transportés vers une surface cible et implantés, dans certains cas, avantageusement, en conjugaison avec des lignes de faisceau d'accélération-décélération utilisant des faisceaux ioniques en grappes. L'invention concerne également des constructions de canon électronique, des sources de rubans conçues pour des configurations de chambres d'électrons et d'ionisation. Elle concerne enfin la formation de caractéristiques de dispositifs à semi-conducteurs, par exemple des extensions drain de dispositifs CMOS, et le dopage de panneaux plats.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)