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1. WO2002031884 - DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS NON PLANS POSSEDANT UNE REGION FERMEE DE CHARGE SPATIALE

Numéro de publication WO/2002/031884
Date de publication 18.04.2002
N° de la demande internationale PCT/RU2001/000409
Date du dépôt international 11.10.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 13.05.2002
CIB
H01L 29/732 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
73Transistors bipolaires à jonction
732Transistors verticaux
H01L 29/74 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
74Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones
H01L 29/864 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
86commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861Diodes
864Diodes à temps de transit, p.ex. diodes IMPATT, TRAPATT
H01L 47/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
47Dispositifs à résistance négative à effet de volume, p.ex. dispositifs à effet Gunn; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02Dispositifs à effet Gunn
CPC
H01L 29/732
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
73Bipolar junction transistors
732Vertical transistors
H01L 29/74
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
74Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
H01L 29/864
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
86controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
861Diodes
864Transit-time diodes, e.g. IMPATT, TRAPATT diodes
H01L 47/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
47Bulk negative resistance effect devices, e.g. Gunn-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Gunn-effect devices ; or transferred electron devices
026Gunn diodes
Déposants
  • KOZHITOV, Lev Vasilievich [RU]/[RU]
  • KONDRATENKO, Timofei Yakovlevich [RU]/[RU]
  • KRAPUKHIN, Vsevolod Valerievich [RU]/[RU]
  • KONDRATENKO, Timofei Timofeevich [RU]/[RU]
  • MISHAKIN, Nikolai Ivanovich [RU]/[RU]
  • TIMOSHINA, Galina Georgievna [RU]/[RU]
Inventeurs
  • KOZHITOV, Lev Vasilievich
  • KONDRATENKO, Timofei Yakovlevich
  • KRAPUKHIN, Vsevolod Valerievich
  • KONDRATENKO, Timofei Timofeevich
  • MISHAKIN, Nikolai Ivanovich
  • TIMOSHINA, Galina Georgievna
Mandataires
  • RAIKOVA, Tatyana Vladimirovna
Données relatives à la priorité
200012549811.10.2000RU
200012550011.10.2000RU
200012962528.11.2000RU
200012962628.11.2000RU
Langue de publication russe (RU)
Langue de dépôt russe (RU)
États désignés
Titre
(EN) NONPLANAR SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING CLOSED REGION OF SPATIAL CHARGE
(FR) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS NON PLANS POSSEDANT UNE REGION FERMEE DE CHARGE SPATIALE
Abrégé
(EN)
The invention relates to the electronic technology, in particular to design and a production of nonplanar semiconductor devices having a closed region of a spatial charge and can be used in the electronic industry for circuits amplifying, generating and transforming electromagnetic oscillations into other type of oscillations. Said invention makes it possible to produce the semiconductor devices having the higher reliability at nominal values of operating currents and voltages, exclude the edge effect and reduce the level of the electrothermal and thermo-electromagnetic degradation. The formation of the closed region of the spatial charge is demonstrated with the aid of the following nonplanar semiconductor devices: a bipolar transistors, a thyristor, an avalanche diode, a Gunn diode and variants thereof.
(FR)
L'invention concerne le domaine de l'électronique, notamment la conception et la production de dispositifs semi-conducteurs non plans possédant une région fermée de charge spatiale et pouvant être utilisés dans l'industrie électronique dans des circuits d'amplification, génération et transformation d'oscillations électromagnétiques et autres types d'oscillations. Selon cette invention, il est possible de produire des dispositifs semi-conducteurs d'une plus haute fiabilité à des valeurs nominales de courants et de tensions utiles, d'éliminer les effets de bord et de réduire également le niveau de dégradation électrothermique et thermomagnétique. La formation d'une région fermée de charge spatiale s'avère, par conséquent, utile dans les dispositifs semi-conducteurs non plans tels que transistors bipolaires, thyristors, diodes à avalanche, diodes à effet Gunn et des variantes de ceux-ci.
Également publié en tant que
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