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1. WO2002031218 - CIBLES DE DEPOT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR PRESENTANT UNE FORME DE CONTENEUR ET PROCEDES DE FORMATION DE CIBLES DE DEPOT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR PRESENTANT UNE FORME DE CONTENEUR

Numéro de publication WO/2002/031218
Date de publication 18.04.2002
N° de la demande internationale PCT/US2001/032019
Date du dépôt international 11.10.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 08.05.2002
CIB
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
C25D 7/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
7Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
04Tubes; Anneaux; Corps creux
CPC
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
C25D 7/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
7Electroplating characterised by the article coated
04Tubes; Rings; Hollow bodies
H01J 37/342
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3414Targets
342Hollow targets
Déposants
  • HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • LI, Jianxing
  • PINTER, Michael, R.
  • WU, Chi, tse
Mandataires
  • LATWESEN, David, G.
Données relatives à la priorité
09/687,94613.10.2000US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SPUTTER TARGETS
(FR) CIBLES DE DEPOT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR PRESENTANT UNE FORME DE CONTENEUR ET PROCEDES DE FORMATION DE CIBLES DE DEPOT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR PRESENTANT UNE FORME DE CONTENEUR
Abrégé
(EN)
The invention encompasses a method of forming a container-shaped physical vapor deposition target. A conductive material (56) is provided in a container-shape. The container-shape comprises an interior region and an exterior region, and the conductive material comprises an interior surface along the interior region as well as an exterior surface alon44the exterior region. A sputtering material is electrolytically deposited on at least one of the interior and exterior surfaces of the container-shaped conductive material. The invention also encompasses a container-shaped physical vapor deposition target. The target includes a first conductive material in a container-shape, with the container-shape comprising an interior region and an exterior region. The first conductive material comprises an interior surface (62) along the interior region of the container-shape and an exterior surface (64) along the exterior region of the container shape. The physical vapor deposition target further includes a second conductive material on an entirety of at least one of the interior and exterior surfaces of the first conductive material, with the second conductive material having at least one different metallurgical property than the first conductive material.
(FR)
La présente invention concerne un procédé permettant de former une cible de dépôt physique en phase vapeur possédant une forme de conteneur. On confère à une matière conductrice une forme de conteneur. La forme de conteneur comporte une région intérieure et une région extérieure et la matière conductrice comprend une surface intérieure le long de la région intérieure ainsi qu'une surface extérieure le long de la région extérieure. On dépose par électrolyse une matière de pulvérisation sur la surface intérieure et/ou extérieure de la matière conductrice en forme de conteneur. L'invention se rapporte également à une cible de dépôt physique en phase vapeur en forme de conteneur. La cible comprend une première matière conductrice possédant une forme de conteneur, la forme de conteneur comportant une région intérieure et une région extérieure. La première matière conductrice comprend une surface intérieure le long de la région intérieure de la forme de conteneur et une surface extérieure le long de la région extérieure de la forme de conteneur. La cible de dépôt physique en phase vapeur comprend en outre une seconde matière conductrice sur la totalité de la surface intérieure et/ou extérieure de la première matière conductrice, la seconde matière conductrice possédant au moins une propriété métallurgique différente des propriétés métallurgiques de la première matière conductrice.
Également publié en tant que
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