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1. (WO2002026003) PROCEDE POUR TRANSFORMER UN RAYONNEMENT LASER EN RAYONS X, NOTAMMENT EN RAYONS ULTRAVIOLETS EXTREMES, AU MOYEN D'UN PLASMA PRODUIT PAR LE RAYONNEMENT LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/026003    N° de la demande internationale :    PCT/DE2001/003635
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 19.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.03.2002    
CIB :
G03F 7/20 (2006.01), H05G 2/00 (2006.01)
Déposants : FRIEDRICH-SCHILLER-UNIVERSITÄT JENA [DE/DE]; Fürstengraben 1, 07743 Jena (DE) (Tous Sauf US).
SAUERBREY, Roland [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FEURER, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SAUERBREY, Roland; (DE).
FEURER, Thomas; (DE)
Mandataire : FREITAG, Joachim; Neugasse 13, 07743 Jena (DE)
Données relatives à la priorité :
100 47 779.8 20.09.2000 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR UMWANDLUNG VON LASERSTRAHLUNG IN RÖNTGENSTRAHLUNG, INSBESONDERE EUV-STRAHLUNG, MITTELS EINES VON DER LASERSTRAHLUNG ERZEUGTEN PLASMAS
(EN) METHOD FOR CONVERTING LASER RADIATION INTO X-RADIATION, IN PARTICULAR, INTO EXTREME ULTRAVIOLET (EUV) RADIATION USING A PLASMA GENERATED BY THE LASER RADIATION
(FR) PROCEDE POUR TRANSFORMER UN RAYONNEMENT LASER EN RAYONS X, NOTAMMENT EN RAYONS ULTRAVIOLETS EXTREMES, AU MOYEN D'UN PLASMA PRODUIT PAR LE RAYONNEMENT LASER
Abrégé : front page image
(DE)Breitbandige Lichtquellen im EUV und weichen Röntgenbereich lassen sich durch die Wechselvirkung von gepulsten Lasern mit Materie realisieren. Treffen die Laserimpulse mit ausreichender Intensität auf feste, flüssige oder gasförmige Materialien, so entstehen strahlungsemittierende Plasmen. Um Emissionen im harten Röntgenbereich zu realisieren, müssen Laser mit hohen Spitzenintensitäten, also mit Pulsdauern kleiner etwa einer Nanosekunde, verwendet werden. Aufgabe ist es, den Wirkungsgrad der Umwandlung von Laserstrahlung in Röntgenstrahlung, insbesondere EUV-Strahlung, zu erhöhen. Erfindungsgemäss werden zur Erzeugung eines Plasmas mit hoher Strahlungsumwandlungseffizienz amplituden- bzw. phasenmodulierte Sub-Nanosekunden-Impulse auf das feste, flüssige oder gasförmige Material eingestrahlt. Die Impulsmodulation erfolgt in Abhängigkeit der Intensität der vom Plasma emittierten Röntgenstralhlung. Die Erfindung wird beispielsweise angewendet in der Elektronenstrahl-Lithographie zur Herstellung von mikroelektronischen Halbleiterbauelementen.
(EN)Broadband light sources in the extreme ultraviolet (EUV) and weak X-ray range can be realized by the interaction of pulsed lasers with matter. Radiation-emitting plasmas are produced when laser pulses impact with a sufficient amount of intensity against solid, liquid or gaseous materials. In order to realize emissions in the hard X-ray range, lasers must be used which have high peak intensities, that is, they have pulse durations of less than one nanosecond. The aim of the invention is to increase the efficiency of the conversion of laser radiation into X-radiation, in particular, into EUV radiation. To this end, the invention provides that amplitude-modulated or phase-modulated sub-nanosecond pulses are irradiated onto the solid, liquid or gaseous material in order to generate a plasma having a high radiation conversion efficiency. The pulse modulation ensues according to the intensity of the X-radiation emitted by the plasma. The invention is used, for example, in electron-beam lithography for producing microelectronic semiconductor components.
(FR)Les sources lumineuses à large bande du domaine de l'ultraviolet extrême et de celui des rayons X mous peuvent être obtenues par interaction de lasers pulsés avec de la matière. Lorsque les impulsions laser entrent en contact avec une intensité suffisante avec des matières solides, liquides ou gazeuses, on obtient des plasmas émettant un rayonnement. Afin d'obtenir des émissions dans le domaine des rayons X durs, il faut utiliser des lasers à fortes intensités de crête, en d'autres termes avec une durée d'impulsion inférieure à approximativement une nanoseconde. L'invention vise à augmenter le niveau de conversion du rayonnement laser en rayons X, notamment en rayons ultraviolets extrêmes. A cet effet, il est prévu selon l'invention pour produire un plasma à haute efficacité de conversion du rayonnement, d'envoyer des impulsions de l'ordre des sous-nanosecondes modulées en amplitude et en phase sur la matière solide, liquide ou gazeuse concernée. La modulation d'impulsion intervient en fonction de l'intensité des rayons X émis par le plasma. L'invention s'utilise par exemple en lithographie par faisceau électronique pour produire des composants à semi-conducteurs micro-électronique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)