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1. (WO2002025810) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE HYPERFREQUENCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025810    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/029652
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 21.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.04.2002    
CIB :
H01L 27/02 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H03F 3/60 (2006.01)
Déposants : U.S. MONOLITHICS, L.L.C. [US/US]; Suite 30 325 East Elliot Road Chandler, AZ 85225 (US)
Inventeurs : BUER, Kenneth, V.; (US).
GRONDAHL, Christopher, D.; (US).
LYONS, Michael, R.; (US)
Mandataire : WHITTINGTON, Michelle; Snell & Wilmer L.L.P. One Arizona Center 400 East Van Buren Phoenix, AZ 85004-2202 (US)
Données relatives à la priorité :
09/667,942 22.09.2000 US
09/832,590 11.04.2001 US
Titre (EN) MMIC FOLDED POWER AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE HYPERFREQUENCES
Abrégé : front page image
(EN)A MMIC power amplifier having a smaller die size and higher power output are realized with the improved amplifier and transistor geometry herein provided. In particular, transistors, such as FETs (field effect transistors) are displaced from a conventional FET geometry with alternating FETs being rotated in opposite directions. The inputs (gate pads) and outputs (drain pads) of two adjacent FETs may be 'shared'. In a shared input configuration, a compensation network may be coupled to the input. The improved FET configuration reduces the number of splitting and combining networks by up to 50 % over the prior art and the die area for a typical 4 watt power amplifier is reduced by 48-72 % over the prior art. The improved amplifier configuration provides a multi-sectional configuration wherein one section may be the mirrored image of another. In a two section amplifier, the amplifier appears to be 'folded'.
(FR)L'invention porte sur un amplificateur de puissance à circuit intégré monolithique hyperfréquences (MMIC) à puce de taille réduite et à sortie de puissance élevée, la géométrie de l'amplificateur et du transistor étant améliorée. Notamment, des transistors tels que des transistors à effet de champ (TEC) sont déplacés dans des directions opposées à partir d'une géométrie traditionnelle avec des transistors à effet de champs alternés en rotation. Les entrées (plages de connexion de grille) et les sorties (plages de connexion de drain) de deux transistors à effet de champ adjacents peuvent être « partagées ». Dans une configuration d'entrée partagée, un réseau de compensation peut être couplé à l'entrée. Une configuration améliorée du TEC permet une réduction allant jusqu'à 50 % du nombre de réseaux de division et de combinaison par rapport à la technique antérieure et une réduction de la surface de la puce d'un amplificateur de puissance de 4 watts comprise entre 48 et 72 % par rapport à la technique antérieure. La configuration améliorée de l'amplificateur se présente sous forme d'une configuration à plusieurs sections dans laquelle une section peut être l'image reflet de l'autre. Dans un amplificateur à deux sections, celui-ci a une apparence «repliée».
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)