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1. (WO2002025749) SYSTEME MAGNETIQUE STRATIFIE ET COMPOSANT COMPORTANT UN SYSTEME MAGNETIQUE STRATIFIE DE CE TYPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025749    N° de la demande internationale :    PCT/DE2001/003631
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 19.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.04.2002    
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/22 (2006.01)
Déposants : FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Strasse, 52425 Jülich (DE) (Tous Sauf US).
NIE, Xiliang [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NIE, Xiliang; (US)
Représentant
commun :
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH; Personal und Recht - Patente (PR-PT), 52425 Jülich (DE)
Données relatives à la priorité :
100 46 782.2 21.09.2000 DE
Titre (DE) MAGNETISCHES SCHICHTSYSTEM SOWIE EIN SOLCHES SCHICHTSYSTEM AUFWEISENDES BAUELEMENT
(EN) MAGNETIC LAYER SYSTEM AND A COMPONENT COMPRISING SUCH A LAYER SYSTEM
(FR) SYSTEME MAGNETIQUE STRATIFIE ET COMPOSANT COMPORTANT UN SYSTEME MAGNETIQUE STRATIFIE DE CE TYPE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer neuen Generation von GMR- und TMR-Sensoren. Es wird eine Dünnfilm-Fixierungsschicht beispielsweise aus einem 5d-Übergangsmetall (W, Re, Os, Ir, Pt) oder einem 4d-Übergangsmetall (Pd, Rh, Ru) mit hoher magnetokristalliner Anisotropie hergestellt, die die Magnetisierungsrichtung der fixierten Schicht (3d-ferromagnetische Übergangsmetalle) fixiert. Es kann ein Moment-filter konstruiert werden, mit dem sich die Effektivität von GMR und TMR Sensoren steigern lässt.
(EN)The invention relates to a method for producing a new generation of giant magnetoresistance (GMR) sensors and tunnel magnetoresistance (TMR) sensors. According to the invention, a thin-film fixing layer is produced, for example, from a 5d transition metal (W, Rd, Os, Ir, Pt) or from a 4d transition metal (Pd, Rh, Ru) having a high magnetocrystalline anisotropy. Said thin-film fixing layer fixes the direction of magnetization of the fixed layer (3d ferromagnetic transition metals). A moment filter can be constructed with which the effectiveness of GMR and TMR sensors can be increased.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de produire une nouvelle génération de détecteurs à résistance magnétique géante (GMR) et à résistance magnétique à effet tunnel (TMR). Il est prévu de produire une couche de fixation à couche mince par exemple à base d'un métal de transition 5d (W, Re, Os, Ir, Pt) ou d'un métal de transition 4d (Pd, Rh, Ru) à anisotropie magnétocristalline élevée, qui fixe le sens de magnétisation de la couche fixée (métaux de transition ferromagnétiques 3d). Il est possible de prévoir un filtre de moment qui permet d'augmenter l'efficacité de détecteurs GMR et TMR.
États désignés : CA, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)