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1. (WO2002025732) ATTÉNUATION DU PARASITAGE ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS LES MODULES D'ALIMENTATION ÉLECTRIQUE PAR UTILISATION DE CONDENSATEURS INTÉGRÉS AU NIVEAU DU SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025732    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/029503
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 20.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.04.2002    
CIB :
H01L 23/66 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H05K 1/02 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01)
Déposants : BALLARD POWER SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 15001 Commerce Drive North, Dearborn, MI 48120 (US) (Tous Sauf US).
PARKHILL, Scott [US/US]; (US) (US Seulement).
AHMED, Sayeed [BD/US]; (US) (US Seulement).
FLETT, Fred [GB/US]; (US) (US Seulement).
MALY, Douglas [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PARKHILL, Scott; (US).
AHMED, Sayeed; (US).
FLETT, Fred; (US).
MALY, Douglas; (US)
Mandataire : DIMINO, Michael; Kilpatrick Stockton LLP, 11130 Sunrise Valley Drive, Suite 300, Reston, VA 20191 (US).
MESSULAM, Alec, Moses; 43-45, High Road, Bushey Heath, Herts WD23 1EE (GB)
Données relatives à la priorité :
60/233,992 20.09.2000 US
60/233,993 20.09.2000 US
60/233,994 20.09.2000 US
60/233,995 20.09.2000 US
60/233,996 20.09.2000 US
Titre (EN) POWER MODULE WITH INTEGRATED CAPACITOR
(FR) ATTÉNUATION DU PARASITAGE ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS LES MODULES D'ALIMENTATION ÉLECTRIQUE PAR UTILISATION DE CONDENSATEURS INTÉGRÉS AU NIVEAU DU SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)A high frequency, low impedance network is integrated into the substrate level of a power module for the reduction of electromagnetic interference ('EMI'). In one embodiment, capacitance is electrically connected to at least one of the positive conducting layer in a substrate or the negative conducting layer in a substrate and a ground. Integrating a capacitive network of low stray inductance in a substrate of a power module allows relatively small, inexpensive capacitors to be used.
(FR)La présente invention concerne un réseau H.F. faible impédance intégré dans le niveau du substrat d'un module d'alimentation électrique de façon à atténuer le parasitage électromagnétique. Selon un mode de réalisation, la capacitance est électriquement connectée, d'une part à une couche de conduction du substrat (négatif ou positif), et d'autre part à la masse. Cette intégration de réseau capacitif à faible inductance diffusée dans un substrat de module d'alimentation électrique permet l'utilisation de condensateurs relativement petits et bon marché.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)