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1. (WO2002025730) TRANCHEE AUTO-ALIGNEE ET PROCEDE DE FORMATION DE CETTE DERNIERE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025730    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/042263
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 24.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.04.2002    
CIB :
H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street, San Jose, CA 95112-4508 (US).
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : KUNKEL, Gerhard; (DE).
BUTT, Shahid; (US).
DIVAKARUNI, Ramachandran; (US).
REITH, Armin, M.; (DE).
NAEEM, Munir, D.; (US)
Mandataire : BRADEN, Stanton, C.; Siemens Corporation - Intellectual Property Dept., 186 Wood Ave. South, Iselin, NJ 08830 (US).
EPPING HERMANN & FISCHER; Postfach 12 10 26, 80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
60/234,502 22.09.2000 US
09/957,937 22.09.2001 US
Titre (EN) SELF ALIGNED TRENCH AND METHOD OF FORMING THE SAME
(FR) TRANCHEE AUTO-ALIGNEE ET PROCEDE DE FORMATION DE CETTE DERNIERE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a trench can be used in the fabrication of dynamic random access memory (DRAM) cells. In one aspect, a first layer of a first material (e.g., polysilicon) (104) is formed over a semiconductor region (e.g., a silicon substrate) (100). The first layer is patterned to remove portions of the first material. A second material (e.g., oxide) (112, 120) can then be deposited to fill the portions where the first material was removed. After removing the remaining portions of the first layer of first material, a trench (122) can be etched in the semiconductor region. The trench would be substantially aligned to the second material.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'une tranchée qu'on peut utiliser dans la fabrication de cellules de mémoire vive dynamique (DRAM). Selon un aspect, une première couche d'un premier matériau (du silicium polycristallin par exemple) est formée au-dessus d'une région à semi-conducteurs (un substrat au silicium par exemple). La première couche est façonnée pour éliminer des parties du premier matériau. Un deuxième matériau (de l'oxyde par exemple) peut ensuite être déposé pour combler les parties où le premier matériau a été enlevé. Après avoir enlevé les parties restantes de la première couche de premier matériau, une tranchée peut être gravée dans la région à semi-conducteurs. Cette tranchée est alors sensiblement alignée sur le deuxième matériau.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)