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1. (WO2002025728) PROCEDE DE FABRICATION D'OXYDE DE GRILLE A DOUBLE EPAISSEUR AU MOYEN D'UN TRAITEMENT DE SURFACE PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025728    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/026648
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 27.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.04.2002    
CIB :
H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street San Jose, CA 95112-4508 (US)
Inventeurs : LEE, Heon; (US)
Mandataire : BRADEN, Stanton, C.; Siemens Corporation Intellectual Property Dept. 186 Wood Ave. South Iselin, NJ 08830 (US)
Données relatives à la priorité :
09/667,053 21.09.2000 US
Titre (EN) DUAL THICKNESS GATE OXIDE FABRICATION METHOD USING PLASMA SURFACE TREATMENT
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'OXYDE DE GRILLE A DOUBLE EPAISSEUR AU MOYEN D'UN TRAITEMENT DE SURFACE PAR PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming on a common semiconductor body (substrate) silicon oxide layers of different thicknesses uses plasma treatment on selected portions of an original thermally grown silicon oxide layer. The plasma treated portions are completely etched away to expose a portion of the surface of the body while non-selected portions of the original silicon oxide layer are little effected by the etch. A thermally grown second layer of silicon oxide is formed with the result being that the silicon oxide layer formed in the exposed portions of the body is thinner than elsewhere. The use of dual thickness silicon oxide layers is useful with dynamic random access memories (DRAMs) as gate oxide layers of field transistors of memory cells of the DRAM typically require different electrical characteristics than transistors of support circuitry of the DRAM
(FR)La présente invention concerne un procédé de réalisation sur un corps semi-conducteur (substrat) des couches d'oxyde de silicium d'épaisseurs différentes au moyen d'un traitement par plasma sur des portions sélectionnées d'une couche d'oxyde de silicium d'origine obtenue par croissance thermique. Les portions traitées au plasma sont complètement éliminées par gravure en vue d'exposer une portion de la surface du corps tandis que des portions non sélectionnées de la couche d'oxyde de silicium d'origine sont peu affectées par la gravure. Une deuxième couche d'oxyde de silicium obtenue par croissance thermique est formée avec pour résultat que la couche d'oxyde de silicium formée dans les portions exposées est plus mince qu'ailleurs. L'utilisation de couches d'oxyde à double épaisseur est utile dans les mémoires vives dynamiques car les couches d'oxyde de grille de transistors à effet de champ des cellules requièrent des caractéristiques électriques différentes de celles des transistors de circuit de support de la mémoire vive dynamique.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)