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1. (WO2002025725) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025725    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/028093
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 07.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.03.2002    
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : SINGH, Rana, P.; (US).
LI, Chi Nan, Brian; (US)
Mandataire : KOCH, William, E.; Motorola Labs - Intellectual Property Section Corporate Law Department Suite R3163 P.O. Box 10219 Scottsdale, AZ 85271-0219 (US)
Données relatives à la priorité :
09/664,510 18.09.2000 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR FORMING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Semiconductor devices and processes for forming the same. The semiconductor device (10) includes field isolation regions (12) within trenches (14) lying within a semiconductor device substrate (11). The trenches (14) include a first trench and a second trench. The device includes a first component region and a second component region. The first component region lies near the first trench, and the second component region lies near the second trench. The semiconductor device includes a feature selected from a group consisting of: (a) a first liner (20) within the first trench (14), and a second liner (36) within the second trench (34), wherein the first liner (20) is significantly thicker than the second liner (36); and (b) the first component region has a first edge with a first radius of curvature near the first trench, and the second component has a second edge with a second radius (R2) of curvature near the second trench (34), wherein the first radius of curvature is significantly greater than the second radius of curvature (R2).
(FR)L'invention concerne des dispositifs à semi-conducteurs et leurs procédés de fabrication. Ce dispositif à semi-conducteur (10) comprend des zones à isolement de champ (12) situées dans des tranchées (14) reposant dans un substrat (11) de dispositif à semi-conducteur. Ces tranchées (14) comprennent une première tranchée et une seconde tranchée. Le dispositif comprend une première zone et une seconde zone . La première zone est située à proximité de la première tranchée et la seconde zone repose à proximité de la seconde tranchée. Le dispositif à semi-conducteur possède une des caractéristiques suivantes: (a) un première revêtement (20) situé dans la première tranchée (14), et un second revêtement (36) situé dans la seconde tranchée (34), le premier revêtement (20) étant sensiblement plus épais que le second revêtement (36) ; (b) la première zone possède un premier bord ayant un premier rayon de courbure à proximité de la première tranchée et la seconde zone possède un second bord ayant un second rayon de courbure (R2) à proximité de la seconde tranchée (34), le premier rayon de courbure étant sensiblement supérieur au second rayon de courbure (R2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)